[发明专利]一种叠层串联太阳能电池在审
| 申请号： | 201810540681.9 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110556448A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 乔秀梅;刘琦;童翔 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/18 |
| 代理公司： | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王文君;陈征 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电池 石墨烯 隧穿结 多结 双结 串联 太阳能子电池 导电性 单层石墨烯 太阳能电池 额外消耗 制作工艺 透光性 重掺杂 叠层 扩散 吸收 改进 | ||
1.一种叠层串联太阳能电池，其特征在于，通过单层石墨烯将双结或多结III-V族太阳能子电池进行串联。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述单层石墨烯通过直接生长法或转移生长法设置于两个子电池之间。
3.一种叠层串联GaAs/GaInP太阳能电池，其特征在于，从下至上依次包括层叠设置的GaAs子电池、单层石墨烯和GaInP子电池。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaAs子电池从下至上包括GaAs子电池的背场层、GaAs基极、GaAs发射极和GaAs子电池的窗口层。
5.根据权利要求3或4所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaInP子电池从下至上包括形成于所述石墨烯上GaInP子电池的背场层、GaInP基极、GaInP发射极和GaInP子电池的窗口层。
6.根据权利要求3～5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaAs子电池的厚度为2.5～3.5微米。
7.根据权利要求3～6任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaInP子电池的厚度为0.5～1.0微米。
8.一种权利要求3～7任一项所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)通过外延生长的方法，在衬底上生长GaAs子电池；
2)在所述GaAs子电池上通过转移生长法设置单层石墨烯层；
3)在所述单层石墨烯层上通过外延生长方法生长GaInP子电池。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述GaAs子电池的生长温度是600～750℃，生长速率为30-90nm/min；
和/或，所述GaInP子电池的生长温度为生长速率为30-90nm/min。
10.根据权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，所述转移生长法包括聚甲基丙烯酸甲酯转移法、PDSM印章转移法、热剥离胶带法、卷对卷转移技术或电化学转移法。
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