[发明专利]一种叠层并联太阳能电池

权利要求书

1.一种叠层并联太阳能电池，其特征在于，用单层石墨烯将双结或多结III-V族太阳能子电池进行并联。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述单层石墨烯通过直接生长法或转移生长法设置于两个子电池之间。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池由如下方法制备得到：

1)通过外延生长方法，生长底层子电池；

2)在所述底层子电池上通过转移生长法设置单层石墨烯层；

3)在所述单层石墨烯层上通过外延生长方法生长上面子电池，得双结太阳能电池；

或，重复步骤2)和3)制备多结太阳能电池。

4.一种GaAs/GaInP叠层并联太阳能电池，其特征在于，从下至上依次包括GaAs子电池、单层石墨烯和GaInP子电池。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaAs子电池从下至上依次包括GaAs基底、背场层、GaAs基极、GaAs发射极和GaInP窗口层；

和/或，所述GaInP子电池从下至上包括依次形成于所述单层石墨烯上的背场层、GaInP基极、GaInP发射极和AlInP窗口层。

6.根据权利要求4或5所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaAs子电池还包括位于所述GaAs基底下的背面电极，所述GaInP子电池还包括位于所述AlInP窗口层上方的正面电极，所述背面电极和正面电极相互连接实现GaAs子电池和GaInP子电池并联。

7.根据权利要求4～6任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaAs子电池的厚度2.5～3.5微米，和/或，所述GaInP子电池的厚度为0.7～1微米。

8.一种权利要求4～7所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)通过外延生长方法，生长GaAs子电池；

2)在所述GaAs子电池上通过转移生长法设置单层石墨烯层；

3)在所述石墨烯层上通过外延生长方法生长GaInP子电池；

4)制备GaAs子电池背电极和GaInP子电池正电极。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述GaAs子电池的生长温度是600～750℃，生长速率为30-90nm/min；

和/或，所述GaInP子电池的生长温度为生长速率为30-90nm/min。

10.根据权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，所述转移生长法包括聚甲基丙烯酸甲酯转移法、PDSM印章转移法、热剥离胶带法、卷对卷转移技术或电化学转移法。