[发明专利]一种温度补偿型移相器

权利要求书

1.一种温度补偿型移相器，其特征是包括温度检测单元，移相单元和可调器件单元，其中移相器单元的输入端口连接至射频输入端口，移相单元的输入/输出端口（a）连接至可调器件单元的输出/输入端口（b），移相单元的输出端连接射频输出端口；温度检测单元输入端口连接电压/电流源信号输入端口，温度检测单元的输出端口连接可调器件单元的输入端口（c），温度检测单元根据工作温度通过输出端口输出控制信号至可调器件单元，可调器件单元根据温度检测单元输出的控制信号，调整自身参数，改变对射频信号的处理，并通过输出/输入端口反馈至移相器单元，移相单元综合处理射频输入信号和可调器件单元反馈信号后，输出射频信号至射频输出端口。

2.根据权利要求1所述的一种温度补偿型移相器，其特征是所述的移相单元包括三个晶体管：M1晶体管、M2晶体管和M3晶体管，三个电阻：R1电阻、R2电阻和R3电阻，以及三个电感：L1电感、L2电感和L3电感；其中M1晶体管的栅极和R1电阻的A端连接，M1晶体管的源极和L1电感的A端连接同时连接射频输入端口，M1晶体管的漏极与L2电感的A端连接同时连接至输出端口，R1电阻的B端连接至Ven控制信号端，L1电感的B端与L2电感的B端相连，同时与M2晶体管的漏极相连；M2晶体管的栅极与R2电阻的A端相连，M2晶体管的源极与M3晶体管的漏极相连，同时与L3电感的A端、可调器件单元输出/输入端口（b）相连，R2电阻的B端与B控制信号端相连；M3晶体管的栅极与R3电阻的A端相连，M3晶体管的源极接地；R3电阻的B端与Venf控制电压端相连；L3电感的B端接地。

3.根据权利要求2所述的一种温度补偿型移相器，其特征是所述的移相单元中的M1晶体管、M2晶体管和M3晶体管为NMOS管。

4.根据权利要求1所述的一种温度补偿型移相器，其特征是所述的可调器件单元包括一个VC1压控电容和C1隔直电容；VC1压控电容的A端与C1隔直电容的A端相连，同时连到可调器件单元的输入端口（c），VC1压控电容的B端接地；C1隔直电容的B端与可调器件单元的输出/输入端口（b）相连。

5.根据权利要求1所述的一种温度补偿型移相器，其特征是所述的温度检测单元包括三个晶体管：M4晶体管、P1晶体管和P2晶体管，R4电阻和D1二极管；P1晶体管源极与VDD电源端相连，P1晶体管的栅极与P2晶体管的栅极以及P1晶体管的漏极相连，P1晶体管的漏极还与M4晶体管的漏极相连；P2晶体管的源极与VDD电源端相连，P2晶体管的漏极与R4电阻的A端相连，同时与可调器件单元的输入端口（c）相连；R4电阻的B端与地相连；M4晶体管的栅极与D1二极管的正极相连，M4晶体管的源极与地相连；D1二极管的负极接地。

6.根据权利要求5所述的一种温度补偿型移相器，其特征是所述的温度检测单元中M4晶体管为NMOS管，P1晶体管和P2晶体管为PMOS管。

7.如权利要求1所述的一种温度补偿型移相器的工作方法，其特征在于所述的Ven控制信号端口和Venf控制信号端口输出的信号是一对反相控制信号，M1晶体管、M2晶体管、M3晶体管工作在开关模式，M4晶体管为电流源，P1晶体管、P2晶体管工作在电流镜模式，当Ven控制信号端口为低电平时，M1晶体管、M2晶体管关闭，M3晶体管导通，电路工作参考状态；当Ven控制信号端口为高电平时，M1晶体管、M2晶体管打开，M3晶体管关闭等效为关态电容，此时M3晶体管、L3电感和VC1压控电容组成并联谐振电路，C1隔直电容为隔直电容，工作时忽略，VC1压控电容将谐振电路的温度特性调整为所需值，来补偿整个移相器性能的温度变化，使移相器从-55至125℃的温度范围内的移相特性恒定。