[发明专利]一种低电源电压下低失调低功耗的高速动态比较器有效
申请号: | 201810541865.7 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN108768351B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 张春茗;曹源;杜慧敏 | 申请(专利权)人: | 西安邮电大学 |
主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 田洲 |
地址: | 710121 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电源 压下 失调 功耗 高速 动态 比较 | ||
本发明公开一种低电源电压下低失调低功耗的高速动态比较器,包括:第一级预放大电路,其接收同相输入信号、反相输入信号、第一、第二电压偏置信号,输出第一同相输出信号、第一反相输出信号;第二级预放大电路,接收第一同相输出信号、第一反相输出信号和时钟控制信号,输出第二同相输出信号、第二反相输出信号;CMOS锁存器电路,接收第二同相输出信号、第二反相输出信号和时钟控制信号,输出第三同相输出信号、第三反相输出信号;SR触发器电路,接收第三同相输出信号、第三反相输出信号,输出同相输出信号、反相输出信号。本发明为在1.05V下实现的高速动态比较器,提高时钟控制信号的速度,使比较器在高频率仍然具有良好的低失调电压、低功耗的优点。
技术领域
本发明属于模数转换器中的比较器技术领域,特别是涉及一种低电源电压下的动态比较器。
背景技术
由于半导体行业和集成电路技术的迅速发展,使得模数转换器成为了电子技术发展的关键所在。而比较器作为模数转换器电路中的核心部分,其各项性能特性对整个模数转换器的性能都具有重要的影响。目前,随着集成电路技术的发展,为电路提供的电源电压逐步降低,这就给传统的动态比较器的设计带来了一定的难度;并且如何在低电源电压下仍能保证比较器电路的各项性能指标,例如失调电压、传输延时、功耗等便成为亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低电源电压下的高速动态比较器,能够在较高的工作频率下,仍然能够提升比较器电路的各项性能指标,从而实现模数转换器电路的高速应用。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种低电源电压下低失调低功耗的高速动态比较器,包括依次连接的偏置电路、第一级预放大电路、第二级预放大电路、CMOS锁存器电路和SR触发器电路;
所述偏置电路,其接收电流源信号,输出第一电压偏置信号、第二电压偏置信号;
所述第一级预放大电路,其接收同相输入信号、反相输入信号、第一电压偏置信号和第二电压偏置信号,输出第一同相输出信号、第一反相输出信号;
所述第二级预放大电路,其接收第一同相输出信号、第一反相输出信号和时钟控制信号,输出第二同相输出信号、第二反相输出信号;
所述CMOS锁存器电路,其接收第二同相输出信号、第二反相输出信号和时钟控制信号,输出第三同相输出信号、第三反相输出信号;
所述SR触发器电路,其接收第三同相输出信号、第三反相输出信号,输出同相输出信号、反相输出信号。
进一步的,所述偏置电路,包括,第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管,其中,
所述第一NMOS晶体管的源极接地;
所述第一NMOS晶体管的栅极与漏极相连、与所述第二NMOS晶体管的源极相连;
所述第二NMOS晶体管的栅极与漏极相连、与电流源信号相连;
所述第一NMOS晶体管的栅极输出第一电压偏置信号;
所述第二NMOS晶体管的栅极输出第二电压偏置信号。
进一步的,所述的第一级预放大电路,包括:第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第六NMOS晶体管、第七NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管,其中,
所述第三NMOS晶体管的栅极接收第一偏置电压信号;
所述第三NMOS晶体管的源极接地;
所述第三NMOS晶体管的漏极、所述第四NMOS晶体管的源极、所述第五NMOS晶体管的源极相连接;
所述第四NMOS晶体管的栅极接收同相输入信号;
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