[发明专利]熔丝单元、熔丝位单元结构及其制造方法

权利要求书

1.一种熔丝单元，包括熔丝连接区、与熔丝连接区电性连接的阳极、阴极，其特征在于，所述熔丝连接区为L形结构并且包括第一连接区、第二连接区以及连接上述两个连接区的单个拐角部位，所述拐角部位与所述第二连接区相连接的一端的宽度逐渐呈梯度增加并且所述熔丝连接区的最小尺寸在所述单个拐角部位处；所述熔丝连接区与所述阴极的连接采用单一的第一导电插塞，所述第一导电插塞一端与所述阴极相连，另一端与所述第一连接区相连，且与所述第一连接区的连接位置邻近或部分覆盖所述拐角部位；所述阴极的宽度远远宽于所述熔丝连接区的宽度。

2.如权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，所述第一连接区和所述第二连接区为矩形区，所述第一连接区的长和宽均小于所述第二连接区。

3.如权利要求2所述的熔丝单元，其特征在于，所述第一连接区的宽度为0.2-0.5um，长度为0.2-0.5um。

4.如权利要求2所述的熔丝单元，其特征在于，所述第二连接区的宽度为0.5-2um，长度为0.6-2.5um。

5.如权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，所述拐角部位的长度为0.05-0.2um，最小宽度为0.05um。

6.如权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，所述熔丝连接区由铝制成。

7.如权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，所述熔丝单元的编程电流为15-40mA。

8.如权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，所述熔丝连接区的总长度为1-3um。

9.一种熔丝位单元结构，其特征在于，包括编程电路以及如权利要求1-8任一项所述的熔丝单元。

10.如权利要求9所述的熔丝位单元结构，其特征在于，还包括多个第二导电插塞，所述第二导电插塞一端同时与所述阳极相连。

11.如权利要求10所述的熔丝位单元结构，其特征在于，所述第二连接区与所述阳极相连，所述第二连接区与所述阳极形成在同一金属层中。

12.如权利要求10所述的熔丝位单元结构，其特征在于，所述编程电路为并联连接的多个可编程晶体管。

13.如权利要求10所述的熔丝位单元结构，其特征在于，所述熔丝连接区形成于连接区衬底上，所述连接区衬底至少包括绝缘层、介质层和钝化层。

14.一种如权利要求9-13任一项所述熔丝位单元结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

结合半导体衬底上的其他逻辑器件，在衬底上形成编程电路；

在衬底上提供一第一介电层；

在第一介电层上形成第一金属层，将所述阳极和所述熔丝连接区形成在第一金属层中；

形成覆盖在第一金属层的阳极和熔丝连接区上的第二介电层；

在第二介电层上形成一第二金属层，在第二金属层内形成阴极及导电插塞；

通过互连金属线将熔丝单元的阳极和阴极连接到集成电路的其他单元。