[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

一电子元件，具有一顶面，一底面和两个端部；

多个接触点，设置于该顶面上，其中所述多个接触点包含：

两个端部接触点，分别设置于该两个端部，以及

至少一个中间接触点，设置于该两个端部接触点之间；

多个金属节点，设置于所述多个接触点上，其中所述多个金属节点包含：

两个端部金属节点，分别设置于该两个端部接触点上，以及

至少一个中间金属节点，设置于该至少一个中间接触点上；

设置在该底面下方的一介电层；以及

至少另一个金属节点设置于该介电层下方，其中所述另一个金属节点布置于该两个端部之间。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该至少一个中间金属节点包含多个金属层和至少一垂直互连通路，该垂直互连通路热耦合所述多个金属层中的相邻金属层。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，其中该至少一个中间金属节点中的所述多个金属层包含：

一第一金属层，与相应的该接触点接触，其中该第一金属层具有小于或等于该电子元件的长度的一第一长度和小于或等于该电子元件的一第一宽度；以及

设置在该第一金属层上的一第二金属层，其中该第二金属层具有大于或等于该第一长度的一第二长度和大于或等于该第一宽度的一第二宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，其中：

设置于所述多个接触点上的至少一个所述多个金属节点中的所述多个金属层中的每一个皆具有与所述电子元件相同的形状；以及

每个所述多个金属层的面积皆小于或等于所述电子元件的面积。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包含设置于所述多个接触点上的所述多个金属节点上方的一接地面，其中该至少一个中间金属节点将该电子元件热耦合于该接地面。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包含设置于设置于所述多个接触点上的所述多个金属节点上方的一电源面，其中所述至少一个中间金属节点将所述电子元件热耦合于所述电源面。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中所述电子元件由高电阻材料形成。

8.一种半导体元件，其特征在于，包含：

一电子元件，具有一顶面，一底面和两个端部；

两个端部接触点，设置在该顶面上，其中该两个端部接触点分别设置于该两个端部；

两个端部金属节点，分别设置于两个该端部接触点上；

一介电层，设置于该底面下方；以及

至少一个中间金属节点，该中间金属节点设置于该介电层下方并且在两个该端部之间。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，其中至少一个该中间金属节点包含多个金属层和至少一通孔，该至少一通孔热耦合所述多个金属层中的相邻金属层。

10.根据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，其中所述至少一个中间金属节点中的所述多个金属层还包含：

一第一金属层，与所述介电层接触，其中所述第一金属层具有(a)小于或等于所述电子元件的长度的一第一长度，以及(b)小于或等于所述电子元件的宽度的一第一宽度；以及

一第二金属层，设置于所述第一金属层下方，其中所述第二金属层具有(c)大于或等于所述第一长度的一第二长度和(d)大于或等于所述第一宽度的一第二宽度。

11.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，还包含设置于所述至少一个中间金属节点下方的一基底，其中所述至少一个中间金属节点将所述电子元件热耦合于所述基底。

12.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，其中该电子元件由高电阻材料形成。