[发明专利]一种固态盘中纠错算法的优化方法及系统

权利要求书

1.一种固态盘中纠错算法的优化方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

控制IO读单元获取所述IO读单元所对应的NAND块的擦除次数，得到所述NAND的使用寿命阶段；

将获取到的NAND块的擦使用寿命阶段与预先设置的硬解码LLR表进行比对，从所述硬解码LLR表查找与所述NAND块的使用寿命阶段相匹配的LLR0和LLR1特征值；

将查找到的所述LLR0和LLR1特征值发送给LDPC硬解码单元；

使用所述LLR0和LLR1特征值，控制所述LDPC硬解码单元对读取出的NAND原始数据进行解码，并将解码后的数据反馈给所述IO读单元。

2.根据权利要求1所述的固态盘中纠错算法的优化方法，其特征在于，所述方法还包括下述步骤：

预先生成硬解码LLR表，所述硬解码LLR表中包含有块擦除次数以及与块擦除次数相对应的LLR0和LLR1特征值信息。

3.根据权利要求2所述的固态盘中纠错算法的优化方法，其特征在于，所述预先生成硬解码LLR表的步骤具体包括下述步骤：

将NAND的使用寿命划分为若干个阶段；

测量划分的每一个寿命阶段的NAND的LLR0和LLR1特征值信息；

在每一个寿命阶段与与其对应的LLR0和LLR1特征值之间建立关联对应关系，生成所述硬解码LLR表。

4.根据权利要求3所述的固态盘中纠错算法的优化方法，其特征在于，每个所述NAND的使用寿命阶段的步长为1000步；

步长为1至步长1000为第一个使用寿命阶段；

步长为1001至步长2000为第二个使用寿命阶段；

以此类推；

步长为n*1000+1至步长n*1000+1000为第n个使用寿命阶段。

5.根据权利要求4所述的固态盘中纠错算法的优化方法，其特征在于，所述LDPC硬解码单元为flash控制器。

6.一种固态盘中纠错算法的优化系统，其特征在于，所述系统包括：

使用寿命阶段获取模块，用于控制IO读单元获取所述IO读单元所对应的NAND块的擦除次数，得到所述NAND的使用寿命阶段；

比对模块，用于将获取到的NAND块的擦使用寿命阶段与预先设置的硬解码LLR表进行比对，从所述硬解码LLR表查找与所述NAND块的使用寿命阶段相匹配的LLR0和LLR1特征值；

特征值发送模块，用于将查找到的所述LLR0和LLR1特征值发送给LDPC硬解码单元；

解码模块，用于使用所述LLR0和LLR1特征值，控制所述LDPC硬解码单元对读取出的NAND原始数据进行解码；

反馈模块，用于将解码后的数据反馈给所述IO读单元。

7.根据权利要求6所述的固态盘中纠错算法的优化系统，其特征在于，所述系统还包括：

硬解码LLR表生成模块，用于预先生成硬解码LLR表，所述硬解码LLR表中包含有块擦除次数以及与块擦除次数相对应的LLR0和LLR1特征值信息。

8.根据权利要求7所述的固态盘中纠错算法的优化系统，其特征在于，所述硬解码LLR表生成模块具体包括：

阶段划分模块，用于将NAND的使用寿命划分为若干个阶段；

特征值测量模块，用于测量划分的每一个寿命阶段的NAND的LLR0和LLR1特征值信息；

关联对应关系建立模块，用于在每一个寿命阶段与与其对应的LLR0和LLR1特征值之间建立关联对应关系，生成所述硬解码LLR表。

9.根据权利要求8所述的固态盘中纠错算法的优化系统，其特征在于，每个所述NAND的使用寿命阶段的步长为1000步；

步长为1至步长1000为第一个使用寿命阶段；

步长为1001至步长2000为第二个使用寿命阶段；

以此类推；

步长为n*1000+1至步长n*1000+1000为第n个使用寿命阶段。

10.根据权利要求9所述的固态盘中纠错算法的优化系统，其特征在于，所述LDPC硬解码单元为flash控制器。