[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于包括：

基层，

位于所述基层中且具有第一掺杂类型的减小表面场效应层，

位于所述基层中且位于所述减小表面场效应层之上的漂移区，所述漂移区为第二掺杂类型，

位于所述漂移区中的漏极区，所述漏极区为第二掺杂类型，

其中，所述减小表面场效应层与所述漂移区之间的第一间距大于零。

2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括：

位于所述基层中且位于所述减小表面场效应层之上的体区，所述体区为第一掺杂类型，

位于所述体区中的源极区，所述源极区为第二掺杂类型，

所述减小表面场效应层与所述体区之间的第二间距小于或等于所述第一间距。

3.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，位于所述体区下方的所述减小表面场效应层与所述基层的第一表面之间的第三间距小于位于所述漂移区下方的所述减小表面场效应层与所述基层的第一表面之间的第四间距。

4.根据权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述减小表面场效应层包括埋层在所述基层中且彼此相接触的第一埋层和第二埋层，所述第一埋层的至少部分位于所述体区下方，所述第二埋层的至少部分位于所述漂移区下方，

所述第一埋层与所述基层的第一表面之间的间距为所述第三间距，所述第二埋层与所述基层的第一表面之间的间距为所述第四间距。

5.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括位于所述基层中，且位于所述减小表面场效层下方的隔离层，所述隔离层将所述减小表面场效应层与所述基层隔离。

6.根据权利要求5所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述隔离层为第二掺杂类型的第三埋层。

7.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括：

位于所述基层的第一表面且与所述源极区相邻的第一介质层，

位于所述第一介质层上的第一导体。

8.根据权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括位于所述第一介质层和漏极区之间的耐压层。

9.根据权利要求8所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一导体位于所述第一介质层和部分耐压层上。

10.根据权利要求8所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括第二导体，所述第二导体的至少部分位于所述耐压层上，且所述第一导体和第二导体空间隔离。

11.根据权利要求10所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第二导体和第一导体中的一个导体层的一部分覆盖在所述第一介质层和耐压层的交界处上方。

12.根据权利要求10所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括至少一个第三导体，各个所述第三导体均位于所述耐压层上，且彼此空间隔离，且与所述第二导体相邻的一个所述第三导体与所述第二导体空间隔离。

13.根据权利要求8所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，所述耐压层为第二介质层，所述第二介质层的厚度大于所述第一介质层的厚度。

14.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述基层包括第一掺杂类型的硅衬底和位于所述硅衬底中的高压阱区，所述高压阱区为第二掺杂类型，

所述体区和漂移区均位于所述高压阱区中。