[发明专利]改善异形屏面板画质的设计方法及结构在审
申请号: | 201810546896.1 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108732826A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 唐岳军 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1335;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;刘巍 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 遮光层 异形 遮挡 像素 屏面板 子像素 画质 驱动条件 像素设置 开孔 开口 锯齿 色差 边缘设置 正常像素 减小 | ||
1.一种改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,包括:
步骤10、沿面板实际显示边缘设置初始遮光层;
步骤20、对于未被初始遮光层完全遮挡的像素,如果该像素包含至少一个完全被初始遮光层遮挡的子像素,该像素设置为完全不显示或者增加遮光层完全遮挡该像素;
步骤30、对于未被初始遮光层完全遮挡的像素,如果该像素的全部子像素都未被初始遮光层完全遮挡,该像素设置为全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值等于或接近于未被初始遮光层遮挡的正常像素的全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值。
2.如权利要求1所述的改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素的开口率比值进行。
3.如权利要求2所述的改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,对于液晶面板,设置该像素全部子像素的开口率比值通过设置该像素全部子像素附加的遮光层进行;或者
对于OLED面板,设置该像素全部子像素的开口率比值通过设置该像素全部子像素的像素限定层面积或者附加的像素限定层进行。
4.如权利要求1所述的改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,对于液晶面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素的像素电极的形状/大小/面积进行;或者
对于OLED面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素的阳极电极或阴极电极面积进行。
5.如权利要求1所述的改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,对于液晶面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素所对应的为像素电极充电的TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行;或者
对于OLED面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素所对应的驱动TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
6.如权利要求1所述的改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,对于液晶面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值包括:
通过设置该像素全部子像素的开口率比值进行;和/或
通过设置该像素全部子像素的像素电极的形状/大小/面积进行;和/或
通过设置该像素全部子像素所对应的为像素电极充电的TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
7.如权利要求1所述的改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,对于OLED面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值包括:
通过设置该像素全部子像素的开口率比值进行;和/或
通过设置该像素全部子像素的阳极电极或阴极电极面积进行;和/或
通过设置该像素全部子像素所对应的驱动TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
8.一种改善异形屏面板画质的结构,其特征在于,包括:沿面板实际显示边缘设置的初始遮光层、未被初始遮光层遮挡的正常像素、被初始遮光层完全遮挡的像素以及未被初始遮光层完全遮挡的像素;该未被初始遮光层完全遮挡的像素包括第一像素和/或第二像素;该第一像素包含至少一个完全被初始遮光层遮挡的子像素,并且该第一像素设置为完全不显示或者增加遮光层完全遮挡该第一像素;该第二像素所包含的全部子像素都未被初始遮光层完全遮挡,该第二像素设置为全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值等于或接近于未被初始遮光层遮挡的正常像素的全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值。
9.如权利要求8所述的改善异形屏面板画质的结构,其特征在于,设置该第二像素全部子像素的亮度比值通过设置该第二像素全部子像素的开口率比值进行。
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