[发明专利]一种聚噻吩掺杂硬质导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种聚噻吩掺杂硬质导电薄膜，其特征在于，它是由下述重量份的原料组成的：

噻吩30-40、六水三氯化铁0.7-1、蓖麻油酸1-2、聚甘油脂肪酸酯1-2、硼砂2-3、2-硫醇基苯骈咪唑0.5-1、有机氮化硅3-4、饱和十八碳酰胺0.8-1、聚苯醚100-110。

2.根据权利要求1所述的一种聚噻吩掺杂硬质导电薄膜，其特征在于，所述的有机氮化硅是由下述重量份的原料组成的：

氮化硅17-20、三丁基三氯化锡1-2、二苯基硅二醇3-4、硅烷偶联剂kh5500.1-0.3。

3.根据权利要求2所述的一种聚噻吩掺杂硬质导电薄膜，其特征在于，所述的有机氮化硅的制备方法，包括以下步骤：

(1)取三丁基三氯化锡，加入到其重量5-7倍的4-6倍的无水乙醇中，加入二苯基硅二醇，保温搅拌20-30分钟，得复合醇溶液；

(2)取氮化硅，加入到上述复合醇溶液中，加入硅烷偶联剂kh550，升高温度为60-65℃，保温搅拌1-2小时，抽滤，将滤饼水洗，常温干燥，得有机氮化硅。

4.一种如权利要求1所述聚噻吩掺杂硬质导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)取六水三氯化铁，加入到其重量17-20倍的去离子水中，搅拌均匀；

(2)取蓖麻油酸、聚苯醚混合，加入到混合料重量4-6倍的氯仿中，升高温度为46-50℃，保温搅拌20-30分钟，加入硼砂，搅拌均匀，蒸馏除去氯仿，得酸化聚苯醚；

(3)取2-硫醇基苯骈咪唑、噻吩混合，加入到混合料重量6-8倍的、35-40％的乙醇溶液中，搅拌均匀，加入上述有机氮化硅，超声2-3分钟，送入到反应釜中，通入氮气，调节反应釜温度为10-15℃，加入上述六水三氯化铁水溶液，搅拌反应10-13小时，出料，蒸馏除去乙醇，得氮化硅掺杂聚噻吩溶液；

(4)取上述酸化聚苯醚、氮化硅掺杂聚噻吩溶液混合，搅拌均匀，加入聚甘油脂肪酸酯，升高温度为65-70℃，保温搅拌2-3小时，抽滤，将沉淀水洗，真空40-50℃下干燥1-2小时，冷却至常温，得复合聚合物；

(5)取上述复合聚合物，与剩余各原料混合，加入到混合料重量8-10倍的二甲基甲酰胺中，搅拌2-3小时，倒入培养皿中，放入真空干燥箱，在70-85℃下真空干燥20-30小时，待膜成型后，放入95-105℃的恒温干燥箱处理1-2小时，揭膜，将膜水洗，常温干燥，即得。