[发明专利]一种用于虚拟现实的显示芯片

权利要求书

1.一种用于虚拟现实的显示芯片，其特征在于，所述用于虚拟现实的显示芯片，包括：一个单晶硅基底（101）和一个驱动电路层（102）、位于驱动电路层（102） 表面的一个键合区层（103）、一个阴极像素层 （104）、一个彩色光发射层（105）、一个透明共阳极层（106）、一个单层薄膜封装层（107）、和一个玻璃封盖（108）。

2.根据权利要求1所述的一种用于虚拟现实的显示芯片，其特征在于，所述单晶硅基底（101）的尺寸小于1英寸。

3.根据权利要求1所述的一种用于虚拟现实的显示芯片，其特征在于，所述驱动电路层所（102） 采用 CMOS 集成电路工艺制成，其晶体管特征尺寸为 0.90 微米至 0.35 微米，支持双电压或多电压区域，模拟电路电压范围为 -5V 至 +5V，数字电路电压为 +1V 至 +5V ；所述驱动电路层（102）包含一个晶体管层、一个晶体管至金属连线层的连接孔层、一个或多个金属连线层，一个或多个金属连线层间的通孔层、一个位于阴极像素层（104）之下的通孔和位于透明共阳极层（106）之下通孔阵列（ 202）。

4.根据权利要求1所述的一种用于虚拟现实的显示芯片，其特征在于，所述阴极像素层（104）介质为Ag，阴极像素层（104）采用PECVD法制备，采用光刻技术刻蚀成单个像素面积小于5微米×5微米，像素间隔小于1微米。

5.根据权利要求1所述的一种用于虚拟现实的显示芯片，其特征在于，所述彩色光发射层（105）为采用旋转涂覆、热蒸发、真空灌注、热转印或者转移方法制备具备自发光功能的发光二极管。

6.根据权利要求1所述的一种用于虚拟现实的显示芯片，其特征在于，所述透明共阳极层（106）为高功函数无机半导体材料的和高导电金属的混合膜，所述高功函数无极半导体材料选自氧化钼、氧化钨、五氧化二钒中的一种或多种，所述高导电金属选自金、银、铜、钛中的一种或多种，所述透明共阳极层的厚度为10-20 nm。

7.根据权利要求1所述的一种用于虚拟现实的显示芯片，其特征在于，所述的键合区层（103）位于驱动电路层 （102） 表面，所述键合区层（103）用于向外引出电源、数据信号和测试信号，键合区层（103）集中分布在单晶硅基底（101）一侧以利于向外引线和封装。

8.根据权利要求1所述的一种用于虚拟现实的显示芯片，其特征在于，所述的单层薄膜封装层 （107）为采用原子层沉积技术制备的TiO2，所述的单层薄膜封装层 （107）的厚度为15-25 nm，单层薄膜封装层制备前采用光刻工艺和PECVD的方法对所述键合区层（103）上方生长一层聚酰亚胺薄膜对键合区层（103）进行保护，防止由于单层薄膜封装层的制备造成键合区层（103）的污染。

9.根据权利要求1所述的一种用于虚拟现实的显示芯片，其特征在于，所述的玻璃封盖（108）使用胶水封装于用于虚拟现实的显示芯片的最上层，可以将芯片除键合区层（103）外的其余部位全部覆盖。