[发明专利]蚀刻方法

说明书

本公开一实施例提供一种蚀刻方法，包括在吸盘上安装晶圆，吸盘设置在蚀刻系统的腔室中，晶圆被聚焦环包围。当蚀刻部分晶圆时，通过将聚焦环相对于晶圆的垂直位置调整到第一期望垂直位置，以将蚀刻方向调整到第一期望蚀刻方向。当蚀刻部分晶圆时，通过将聚焦环相对于晶圆的垂直位置调整到第二期望垂直位置，以将蚀刻方向调整到第二期望蚀刻方向，第二期望垂直位置与第一期望垂直位置不同，第二期望蚀刻方向与第一期望蚀刻方向不同。

技术领域

本发明实施例涉及一种蚀刻方法，且特别关于一种使用聚焦环的蚀刻方法。

背景技术

半导体装置被使用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体基板上按序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体材料层以及使用光刻和蚀刻工艺图案化各种材料层，以在半导体基板上形成电路部件和元件，进而制造半导体装置。

半导体工业不断通过持续减小最小特征部件的尺寸以改进各种电子元件(如晶体管、二极管、电阻、电容或类似物)的整合密度，这允许将更多元件整合到一给定的区域中。然而，随着最小特征部件尺寸的降低，每个使用的工艺中都会出现额外的问题，且应解决这些额外的问题。

发明内容

本发明一实施例提供了一种蚀刻方法，包括：在吸盘上安装晶圆，吸盘设置在蚀刻系统的腔室中，晶圆被聚焦环包围；当蚀刻部分晶圆时，通过将聚焦环相对于晶圆的垂直位置调整到第一期望垂直位置，以将蚀刻方向调整到第一期望蚀刻方向；以及当蚀刻部分晶圆时，通过将聚焦环相对于晶圆的垂直位置调整到第二期望垂直位置，以将蚀刻方向调整到第二期望蚀刻方向，第二期望垂直位置与第一期望垂直位置不同，第二期望蚀刻方向与第一期望蚀刻方向不同。

本发明另一实施例提供了一种蚀刻方法，包括：在吸盘上放置一晶圆，吸盘设置在蚀刻系统的腔室中，吸盘被聚焦环包围；当在晶圆上进行蚀刻工艺时，通过将聚焦环相对于晶圆的垂直位置调整到第一期望垂直位置，以将在蚀刻工艺期间使用的离子方向调整到第一期望离子方向；以及当在晶圆上进行蚀刻工艺时，通过将聚焦环相对于晶圆的垂直位置调整到第二期望垂直位置，以将在蚀刻工艺期间使用的离子方向调整到第二期望离子方向，第二期望垂直位置与第一期望垂直位置不同，第二期望离子方向与第一期望离子方向不同。

本发明又一实施例提供了一种蚀刻设备，包括：腔室、吸盘、聚焦环、感测器、聚焦环控制系统以及反馈系统；吸盘是设置在腔室中，吸盘配置为用以保持晶圆；聚焦环是设置在腔室中，聚焦环包围吸盘，聚焦环配置为用以控制腔室中的离子方向；感测器是设置在腔室中，感测器配置为用以感测感测器及聚焦环间的距离；聚焦环控制系统耦接聚焦环，聚焦环控制系统配置为用以沿垂直于吸盘的主要表面的方向移动聚焦环；反馈系统耦接感测器及聚焦环控制系统，反馈系统配置为用以接收来自感测器的一检测信号以及来自一使用者的使用者产生信号的至少一者，以及送出控制信号到聚焦环控制系统。

附图说明

以下将配合说明书附图详述本发明的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，多种特征并未按照比例示出且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明的特征。

图1示出根据一些实施例的蚀刻系统的剖面图。

图2示出根据一些实施例的用于控制聚焦环的反馈回路的示意图。

图3A示出根据一些实施例的蚀刻系统的一部分的剖面图。

图3B示出根据一些实施例的蚀刻系统的一部分的剖面图。

图4示出根据一些实施例的离子角度与聚焦环的顶表面和晶圆的顶表面之间距离的关系的图表。

图5A-图5C示出根据一些实施例的制造半导体结构的各个中间阶段的剖面图。

图6A-图6D示出根据一些实施例的制造半导体结构的各个中间阶段的剖面图。