[发明专利]一种背接触异质结太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：包括N型单晶硅片，依次设在硅片正面金字塔绒面上的第二本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、一层增透层，依次设在硅片背面P区表面的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、第二透明导电膜层、铜种子层、铜栅线电极，依次设在硅片背面N区金字塔绒面上的第三本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第一透明导电膜层、第二透明导电膜层、铜种子层、铜栅线电极，依次设在硅片背面N/P交叠区表面的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、绝缘层、第三本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第一透明导电膜层、第二透明导电膜层、铜种子层及绝缘槽。

2.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、第二本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第三本征非晶硅层、第二N型非晶硅层厚度为1～15nm，所述非晶硅层通过PECVD沉积形成。

3.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述增透层为氮化硅、氮氧化硅、氟化镁、ITO、氧化硅、氧化铝、氧化锌中的至少一种，厚度为40～200nm，宽度为0.02～0.2mm，所述增透层通过PECVD或PVD沉积形成。

4.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述绝缘层为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、非晶硅中的至少一种，厚度为40～200nm，所述绝缘层通过PECVD或PVD沉积形成。

5.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一透明导电膜层、第二透明导电膜层为金属氧化物，所述金属氧化物为氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟薄膜中的一种，厚度为10～200nm，所述金属氧化物通过PVD沉积。

6.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述铜栅线电极包含铜栅线层和铜栅线保护层，所述铜栅线保护层为锡层，所述铜栅线电极宽度为10-150um，厚度为5-50um。

7.一种背接触异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述制作方法包括如下步骤：

提供抛光清洗干净的N型硅片；

在所述硅片的背面依次镀第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、一层绝缘层；

在所述硅片的背面P区印刷一层保护油墨；

经过腐蚀溶液腐蚀，腐蚀去除保护油墨区域外的绝缘层、P型非晶硅层、第一本征非晶硅层；

去除保护油墨之后经过制绒清洗，在P区外形成金字塔绒面；

在所述硅片的正面依次镀第二本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、一层增透层；

在所述硅片的背面依次镀第三本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第一透明导电膜层；

在所述硅片的背面绝缘层局部区域印刷第一蚀刻油墨，反应后经过清洗去除印刷区域的第一透明导电膜层、第二N型非晶硅层、第三本征非晶硅层、绝缘层；

在所述硅片的背面依次镀第二透明导电膜层、铜种子层；

在所述硅片的背面绝缘层局部区域印刷第二蚀刻油墨，反应后经过清洗去除印刷区域的铜种子层、第二透明导电膜层、第一透明导电膜层；

在所述硅片的背面印刷一层耐电镀油墨形成栅线图案；

在所述硅片的背面栅线图案区域电镀铜，形成铜栅线电极；

通过去膜溶液，去除硅片背面的耐电镀油墨及铜种子层。

8.根据权利要求7所述一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所述保护油墨印刷宽度为0.3～0.9mm，固化温度为100～220℃，固化时间为5～60分钟，所述保护油墨耐HF、HNO₃、H₂O₂，所述腐蚀溶液为HF、HNO₃、H₂O₂中的至少一种，腐蚀反应时间为1～20分钟，去除保护油墨采用碱液去除。