[发明专利]一种自适应斜坡补偿电路

权利要求书

1.一种自适应斜坡补偿电路，该补偿电路包括：第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜、第四电流镜、控制电容充放电电路、第一电阻、第二电阻，第一电压采样模块，第二电压采样模块；

所述第一电流镜包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管；所述第一PMOS管与第三PMOS管的源极共同连接输入信号V_in，第一PMOS管与第三PMOS管的栅极共接后连接第一PMOS管漏极，第一PMOS管漏极接第二PMOS管源极，第二PMOS管与第四PMOS管的栅极共接后连接第二PMOS管的漏极，第三PMOS管的漏极接第四PMOS管源极；

所述第二电流镜包括：第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管；所述第五PMOS管与第七PMOS管的源极共同连接输入信号V_in，第五PMOS管与第七PMOS管的栅极共接后连接第五PMOS管漏极，第五PMOS管漏极接第六PMOS管源极，第六PMOS管与第八PMOS管的栅极共接后连接第六PMOS管的漏极，第七PMOS管的漏极接第八PMOS管源极；

所述第三电流镜包括：第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管；所述第九PMOS管与第十一PMOS管的源极共同连接输入信号V_in，第九PMOS管与第十一PMOS管的栅极共接后连接第十一PMOS管漏极，第九PMOS管漏极接第十PMOS管源极，第十PMOS管与第十二PMOS管的栅极共接后连接第十二PMOS管的漏极，第十一PMOS管的漏极接第十二PMOS管源极；

所述第四电流镜包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管；第一NMOS管与第三NMOS管的栅极共接后连接第一NMOS管漏极，第一NMOS管源极接第二NMOS管漏极，第二NMOS管与第四NMOS管的栅极共接后连接第二NMOS管的漏极，第三NMOS管的源极接第四NMOS管漏极；第二NMOS管与第四NMOS管的源极共同接地；

所述控制电容充放电电路包括：第五NMOS管、第六NMOS管、电容C，所述第五NMOS管的漏极、第六NMOS管的漏极、电容C的一端共接斜坡补偿电压V_slope，第五NMOS管的栅极连接控制时钟信号，所述第五NMOS管的源极、第六NMOS管的源极、电容C的另一端共同接地；

所述第一电流镜中第二PMOS管的漏极连接第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端接地；所述第一电流镜中第四PMOS管的漏极连接第四电流镜中第一NMOS管的漏极；所述第二电流镜中第六PMOS管的漏极分别连接第四电流镜中第三NMOS管的漏极和第三电流镜中第十PMOS管的漏极；所述第二电流镜中第八PMOS管的漏极分别连接第五NMOS管和第六NMOS管的漏极和电容C的一端；所述第三电流镜中第十二PMOS管的漏极连接第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地；

所述第一电压采样模块采样第一电阻两侧电压，第二电压采样模块采样第二电阻量测电压。

2.如权利要求1所述的一种自适应斜坡补偿电路，其特征在于所述第一电压采样电路和第二电压采样电路完全相同，都包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、比较器、电容、NMOS管M1、NMOS管M2，所述第一电阻的输出端与第二电阻的输入端相连，第一电阻和第二电阻的共节点连接比较器的正极输入端，电容的输入端、NMOS管M1的漏极、第三电阻的输入端共接后连接比较器的负极输入端，第二电阻的输出端、电容的输出端、NMOS管M1的源极、第三电阻的输出端共接地，所述比较器的输出端接NMOS管M2的栅极，NMOS管M2的源极连接NMOS管M1的的漏极；其中，所述第一电压采样电路中第一电阻的输入端连接输入信号V_out，第一电压采样电路中NMOS管M2的漏极连接第一电流镜中的第二PMOS管的漏极；所述第二电压采样电路中的第一电阻的输入端连接输入信号V_in，所述第二电压采样电路中NMOS管M2的漏极连接第三电流镜中第十二PMOS管的漏极。