[发明专利]添加亚分辨率辅助图形的方法及该方法的应用

说明书

本发明提供了一种添加亚分辨率辅助图形的方法及该方法的应用。该方法包括以下步骤：S1，从原始版图中截取具有周期结构的图形，得到待修正版图；S2，将待修正版图通过反向光刻技术进行修正，得到修正后版图，修正后版图包括符合成像要求的主图形和辅助图形；S3，将主图形和辅助图形分离，并将辅助图形加入原始版图中进行基于模型的光学邻近修正。上述方法改变了在光学邻近修正工作中添加亚分辨率辅助图形的方式和使用的软件工具，可以有效缩短周期版图添加亚分辨率辅助图形的时间周期，不需要设计专门的测试掩模和经过多次图形摆放的测算，也不需要进行多次曝光测试，具有低成本和节约时间的优点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种添加亚分辨率辅助图形的方法及该方法的应用。

背景技术

作为集成电路制造工艺中的关键和核心技术之一的纳米光刻技术直接影响着集成电路的成品率和可制造性。随着集成电路特征尺寸的不断减小到远小于光刻系统中所使用的光源波长，电路制造的准确性和成品率问题日益突出。现有的光学光刻工艺普遍采用深亚微米光刻技术，这种技术的使用，导致版图图形通过掩模转移至硅圆片表面形成印刷图形时，会产生严重的失真。以光学邻近修正技术(optical proximity correction，OPC)为主的分辨率增强技术(resolution enhancement technology，RET)在集成电路的制造中已普遍采用。

为提高版图在光刻过程中的分辨率而对其添加亚分辨率曝光辅助图形(sub-resolution assistant feature，SRAF)，是进行光学邻近修正的重要环节。通常情况下，辅助图形的尺寸和放置的位置是通过实验来确定的。使用一块特殊设计的掩模，该掩模上有各种尺寸的辅助图形。曝光后，对这些图形测量，确定最佳的放置位置和宽度。从最初添加辅助图形到最终确定所添加图形的尺寸和放置位置往往需要经历复杂的过程和耗费较多的时间。在光学邻近修正中有一种基于计算光刻技术的版图修正方法，可以通过反向全局优化算法对版图进行优化。但大规模使用反向光刻技术直接对版图进行修正，其运算时间会急剧增加，且经其优化所得的图形结构复杂难于制造。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种添加亚分辨率辅助图形的方法及该方法的应用，以解决现有技术中添加辅助图形过程复杂且耗时较长的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种添加亚分辨率辅助图形的方法，包括以下步骤：S1，从原始版图中截取具有周期结构的图形，得到待修正版图；S2，将待修正版图通过反向光刻技术进行修正，得到修正后版图，修正后版图包括符合成像要求的主图形和辅助图形；S3，将主图形和辅助图形分离，并将辅助图形加入原始版图中进行基于模型的光学邻近修正。

进一步地，在步骤S1中，待修正版图的尺寸为10μm×10μm～30μm×30μm。

进一步地，步骤S2包括以下步骤：S21，将待修正版图通过反向光刻技术进行修正，得到待验证版图，待验证版图包括待验证主图形和待验证辅助图形；S22，对待验证版图进行成像仿真验证以得到仿真图形；S23，将仿真图形与标准图形进行比较以得到比较结果，当比较结果超过允许误差时，调整反向光刻技术的计算参数，并重复执行步骤S21；当比较结果不超过允许误差时，得到修正后版图。

进一步地，计算参数包括迭代次数和工艺条件，优选工艺条件包括：曝光能量的涨落在标准曝光剂量的±5％范围内、离焦量为±40nm。

进一步地，步骤S3包括以下步骤：S31，将主图形和辅助图形分离并简化；S32，将简化后的辅助图形加入原始版图中进行基于模型的光学邻近修正。

进一步地，步骤S31包括以下步骤：S311，对修正后版图进行第一简化处理，以使主图形和辅助图形具有直边结构；S312，将主图形和辅助图形分离，以使主图形和辅助图形处于不同的光刻图层；S313，对辅助图形进行第二简化处理，以使辅助图形符合添加亚分辨率辅助图形的要求。