[发明专利]基准电压电路在审
申请号: | 201810552648.8 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108646845A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 赵芳兰 | 申请(专利权)人: | 东莞赛微微电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 523808 广东省东莞市东莞松山湖高新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度无关 电流源 高阶 基准电压电路 曲率补偿电路 温度特性 一阶补偿 三极管 一阶 电压生成电路 高阶温度补偿 零温度系数 电流叠加 电流生成 电路结构 电路连接 基准电压 申请 电路 配合 | ||
1.一种基准电压电路,其特征在于,所述基准电压电路包括:
一阶补偿电路,用于产生一阶温度无关的电流;
曲率补偿电路,与所述一阶补偿电路连接,用于产生高阶温度特性的电流,并与所述一阶温度无关的电流叠加产生高阶温度无关的电流;
电压生成电路,与所述曲率补偿电路连接,用于根据所述高阶温度无关的电流生成基准电压;
其中,所述曲率补偿电路至少包括电流源和第一三极管,所述电流源与所述第一三极管配合产生所述高阶温度特性的电流,所述电流源为零温度系数的电流源。
2.根据权利要求1所述的基准电压电路,其特征在于,所述曲率补偿电路还包括第一电阻,所述第一三极管的集电极连接第一电压,所述第一三级管的发射极通过所述电流源连接第二电压,所述第一三极管的发射极还通过所述第一电阻连接所述一阶补偿电路的输出端和所述电压生成电路的输入端,以使所述第一三极管的发射极通过所述第一电阻输出所述高阶温度特性的电流并与所述一阶补偿电路输出的温度无关的电流叠加后流入所述电压生成电路。
3.根据权利要求2所述的基准电压电路,其特征在于,所述电压生成电路包括第三电阻,所述第三电阻的第一端与所述第一三极管的基极和所述一阶温度补偿电路连接,所述第三电阻的第二端连接所述第二电压。
4.根据权利要求3所述的基准电压电路,其特征在于,所述一阶补偿电路包括电流镜电路、第二三极管、第三三极管、第二电阻以及第四电阻,所述电流镜电路的输入端连接所述第一电压,所述电流镜电路用于分别在所述电流镜电路的第一输出端和第二输出端产生彼此相等的第一电流和第二电流,所述第二三极管的集电极连接所述电流镜电路的第一输出端,所述第三三极管的集电极连接所述电流镜电路的第二输出端,所述第二三极管的发射极连接所述第四电阻的第一端,所述第四电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端连接所述第二电压和所述第三电阻的第二端,所述第三三极管的发射极连接所述第四电阻的第二端,所述第二三极管的基极与所述第三三极管的基极连接。
5.根据权利要求4所述的基准电压电路,其特征在于,所述电流镜电路包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管以及第三场效应晶体管,所述第一场效应晶体管的第一通路端连接所述第一电压,所述第一场效应晶体管的第二通路端作为所述电流镜电路的第一输出端连接所述第二三极管的集电极,所述第一场效应晶体管的控制端连接所述第二三极管的集电极;所述第二场效应晶体管的第一通路端连接所述第一电压,所述第二场效应晶体管的第二通路端作为所述电流镜电路的第二输出端连接所述第三三极管的集电极,所述第二场效应晶体管的控制端连接所述第二三极管的集电极;所述第三场效应晶体管的第一通路端连接所述第一电压,所述第三场效应晶体管的第二通路端连接所述第三电阻的第一端,所述第三场效应晶体管的控制端连接所述第三三极管的集电极;所述第一三极管、所述第二三极管、所述第三三极管的基极均连接所述第三电阻的第一端。
6.根据权利要求5所述的基准电压电路,其特征在于,所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管均为P型场效应晶体管,所述第三场效应晶体管为N型场效应晶体管。
7.根据权利要求5所述的基准电压电路,其特征在于,所述第一场效应晶体管的第一通路端和第二通路端分别为漏极和源极,所述第二场效应晶体管的第一通路端和第二通路端分别为漏极和源极,所述第三场效应晶体管的第一通路端和第二通路端分别为漏极和源极。
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