[发明专利]一种CuInSe2

权利要求书

1.一种CuInSe₂/CuInTe₂热电复合材料的制备方法，其特征是包括以下步骤：

（1）以铜粉、铟粉、碲粉为原料，采用熔融-退火法制得Te缺位的CuInTe_2-x热电材料粉体；

（2）将Te缺位的CuInTe_2-x热电材料粉体置于硒蒸汽的环境中进行渗硒处理，形成CuInSe₂/CuInTe₂热电复合材料粉体；

（3）渗硒处理后，将所得CuInSe₂/CuInTe₂热电复合材料粉体进行急速热压烧结，得CuInSe₂/CuInTe₂热电复合材料块体；

采用以下方式进行渗硒处理：将硒块放入石英管底部，将Te缺位的CuInTe_2-x热电材料粉体均匀平铺在石墨坩埚中，然后将该石墨坩埚放入硒块之上；将装有硒块和石墨坩埚的石英管进行真空熔封，然后垂直放于高温电阻炉中进行渗硒处理，形成CuInSe₂/CuInTe₂热电复合材料粉体；

将石英管加热至350-450℃进行渗硒处理，渗硒处理时，硒蒸汽的蒸气压为0.7×10⁵Pa-1.2×10⁵Pa，渗硒时间为12-48小时。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是：步骤（1）中，0x≤0.4。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征是：步骤（1）中， 0.1x≤0.4。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是：步骤（3）中，在CuInSe₂/CuInTe₂热电复合材料中，CuInSe₂的摩尔量是CuInSe₂/CuInTe₂热电复合材料摩尔量的0～20%。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征是：步骤（3）中，在CuInSe₂/CuInTe₂热电复合材料中，CuInSe₂的摩尔量是CuInSe₂/CuInTe₂热电复合材料摩尔量的5-20%。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是：石英管真空熔封后，室温下石英管中的真空度为2-8Pa。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法，其特征是：Te缺位的CuInTe_2-x热电材料粉体和CuInSe₂/CuInTe₂热电复合材料粉体的粒度为100-200μm。

8.根据权利要求1、2、3或4所述的制备方法，其特征是：步骤（4）中，急速热压烧结的条件是：真空度1-10Pa，烧结压力60-75MPa，升温速率90-110℃/min，烧结温度400-450℃，烧结时间15-20 min。