[发明专利]基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法

权利要求书

1.一种基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)确定待加固CMOS工艺器件的最优退火温度和最佳退火时间；

2)确定调节电流，将CMOS工艺器件进行封装；

2.1)在基片上制作加温电阻；

2.2)对基片进行加热，将基片加热至最优退火温度，确定此时的电流值为调节电流；

2.3)将待加固CMOS工艺器件与基片连接、封装，同时在CMOS工艺器件的管壳中增加温度控制管脚；

3)当累积总剂量达到规定总剂量时，根据步骤1)获得的最佳退火时间和步骤2.2)确定的调节电流对待加固的CMOS工艺器件进行加热，从而提高CMOS工艺器件的抗总剂量；

步骤1)具体包括以下步骤，

1.1)选取待加固的同批次CMOS工艺器件，分A、B两组，对A组和B组器件进行常规封装，并开展电学性能测试，筛选出性能稳定的器件；

1.2)对A组样品进行总剂量辐照实验，获得该批次实验样品抗总剂量辐射的能力；

1.3)对B组器件进行总剂量辐照实验，累积辐照总剂量至步骤1.2)总剂量值的80％；

1.4)将步骤1.3)辐照后的样品进行再次分组，将各组样品进行不同温度的退火实验，在不同温度值的退火过程中选取多个时间点，对各组器件的电特性进行测试；

1.5)在步骤1.4)的测试结果中选取电特性测试恢复最快的温度为最优退火温度，性能恢复到退火前的10％以内所对应时间为最佳退火时间。

2.根据权利要求1所述的基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，其特征在于：步骤1.4)中的不同温度范围值在60℃～100℃间选择。

3.根据权利要求2所述的基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，其特征在于，步骤1.2)具体为：在辐照过程中对待加固CMOS工艺器件的电参数和功能进行测试，电参数超出规定阈值或功能失效时，对应的剂量点为该批次器件的失效阈值。

4.根据权利要求1至3任一所述的基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，其特征在于：步骤2.1)中，在加热基片上采用厚膜工艺制作加温电阻。

5.根据权利要求4所述的基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，其特征在于：步骤2.1)中，在加热基片上采用氧化铝厚膜工艺制作加温电阻。

6.根据权利要求5所述的基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，其特征在于：步骤2.3)中将待加固CMOS工艺器件与基片连接、封装的具体方法为：将待加固的CMOS工艺器件的芯片与加热基片粘接，将CMOS工艺器件的芯片与管壳键合互连。

7.根据权利要求6所述的基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，其特征在于：步骤2)还包括步骤2.4)开展电学性能测试，筛选出性能稳定的CMOS工艺器件。