[发明专利]一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法

权利要求书

1.一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将以重量份计的5-10份丝瓜络放入30-50份的稀盐酸溶液中浸泡15-25h，然后煮10-30min后，滤掉溶液，将丝瓜络反复清洗至中性后放入烘箱，在70-100℃下烘干10-15 h，得到处理过的干丝瓜络；

（2）将步骤（1）所得干丝瓜络加入到30-50份水溶性酚醛树脂中，充分浸没20-30h，将浸渍过后的丝瓜络取出，放入烘箱中，在90-110℃温度下烘干8-10h；然后将其转入到高温电阻炉里面，在180-220℃下预氧化1-3 h，通入保护气体 N₂，在500-600 ℃下炭化5-15min；

（3）将10-20份莫来石在80-120℃下真空干燥10-20h，去除水分后，加入8-15份硅树脂粉末和步骤（2）所得物进行球磨混合10-20h，让莫来石和丝瓜络表面均匀地吸附硅树脂涂层；

（4）将80-120份碳化硅球磨10-15h后，与步骤（3）所得物混合球磨1-3h，待混合物混合均匀后，称取一定量的混合物，利用干法压片机压制成型，其成型压力为 20-40MPa，保压时间为1-3min；

（5）将步骤（4）所得压制好的样品置于80-120℃的烘箱中放置10-15h后，转入到马弗炉中进行升温烧制，升温速率为3-5℃/min,当温度达到250-350℃时保温1-2h，600-800℃时保温1-2h，1200-1400℃时保温1-2h，最后以4-6℃/min的速率冷却至室温即可。

2.根据权利要求1所述的一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法，其特征在于，步骤（1）所述稀盐酸溶液质量分数为5-10%。

3.根据权利要求1所述的一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法，其特征在于，步骤（2）所述水溶性酚醛树脂固含量为20-30%。

4.根据权利要求1所述的一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法，其特征在于，步骤（2）所述N₂ 的速率控制在0.4-0.7 L/min。

5.根据权利要求1所述的一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法，其特征在于，步骤（3）所述硅树脂粉末为聚烷基有机硅树脂粉末。