[发明专利]建立晶圆格点的方法

说明书

本发明涉及一种建立晶圆格点的方法，涉及半导体集成电路制造工艺，包括：步骤S1，对晶圆进行层间对准量测，获得所述晶圆上多个曝光区内的多个套刻标记的位置坐标；步骤S2，所述晶圆在扫描电镜上做多个点的对准，获得所述晶圆的所述多个曝光区之间的位置信息；以及步骤S3，根据所述晶圆上所述多个曝光区内的所述多个套刻标记的位置坐标和所述晶圆的所述多个曝光区之间的位置信息拟合出晶圆格点；以使晶圆格点更加准确反映曝光后的晶圆上的每个点的位置信息。

技术领域

本发明涉及一种集成电路制造技术，尤其涉及一种建立晶圆格点的方法。

背景技术

在半导体集成电路制造工艺中，对晶圆上的图形的关键尺寸(CD)的量测是其中非常重要的一步。

目前，最常用的量测机台就是扫描电镜。随着技术节点从65nm到40nm到28nm到14nm，再到10nm一路演化并且往7nm，5nm方向行进，图形的特征尺寸越来越小，导致对其关键尺寸的量测越来越困难，在量测过程中对图形定位的要求越来越高。导致了需要建立越来越复杂和精细的量测程序，比如由小倍率到大倍率的双重位置定位的程序等。

而扫描电镜量测过程中的第一步对准因为其本身的设计以及电子扫描的低速度的问题，只会做整片晶圆上有限的几个点的对准，从而只能对晶圆上曝光区之间建立格点。具体的，可参阅图1，图1为现有技术的建立晶圆格点的过程示意图。如图1所示，晶圆在扫描电镜上做三个点的对准，以此建立曝光区之间的晶圆格点。这样的做法忽略了每个曝光区域本身的变形，从而导致了建立的晶圆格点与真实的位置坐标产生了较大的误差，这个误差导致在做关键尺寸量测时定位不够精确，因而需要建立更复杂更精细的量测程序来弥补，也对扫描电镜的移动精度提出更高的要求，且导致量测过程中较高的定位失效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种建立晶圆格点的方法，使晶圆格点更加准确反映曝光后的晶圆上的每个点的位置信息。

本发明提供的建立晶圆格点的方法，包括：步骤S1，对晶圆进行层间对准量测，获得所述晶圆上多个曝光区内的多个套刻标记的位置坐标；步骤S2，所述晶圆在扫描电镜上做多个点的对准，获得所述晶圆的所述多个曝光区之间的位置信息；以及步骤S3，根据所述晶圆上所述多个曝光区内的所述多个套刻标记的位置坐标和所述晶圆的所述多个曝光区之间的位置信息拟合出晶圆格点。

更进一步的，在步骤S1中对所述晶圆进行层间对准量测时，一个曝光区内量测的套刻标记的数量为5个以上。

更进一步的，在步骤S1中对所述晶圆进行层间对准量测时，所述晶圆上的每个曝光区内均量测多个套刻标记的位置坐标。

更进一步的，在步骤S1中对所述晶圆进行层间对准的量测时，没量测套刻标记的曝光区通过外延的方式确定该曝光区内的套刻标记的位置坐标。

更进一步的，在步骤S2中所述晶圆在扫描电镜上做三到五个之间的点的对准。

更进一步的，所述晶圆在扫描电镜上做三个点的对准。

本发明提供的建立晶圆格点的方法，在晶圆格点建立过程中，综合了当层中曝光区内部的格点信息和曝光区之间的晶圆格点信息，使晶圆格点更加准确反映曝光后的晶圆上的每个点的位置信息，因此改善了量测图形的定位精度，减少位置定位失效率从而提高了扫描电镜量测的效率和可靠性；由于定位更加精确，因此在进行关键尺寸扫描电镜量测时，降低了关键尺寸扫描电镜量测程序中对定位的要求，降低了量测的定位失效率，提高了量测机台的利用率，提高了生产效率。

附图说明

图1为现有技术的建立晶圆格点的过程示意图。

图2为本发明一实施例的建立晶圆格点的过程示意图。

图3为本发明一实施例的扫描电镜的定位精度示意图。

图中主要元件附图标记说明如下：