[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201810554767.7 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108767010A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 倪贤锋;范谦;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 沟道层 衬底 二维电子气 裂纹产生 拉应力 良率 组份 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上ScAlN层、位于所述ScAlN层上的沟道层以及位于所述沟道层上的AlGaN势垒层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟道层和所述AlGaN势垒层之间设有间隔层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟道层材料的能带间隙小于所述AlGaN的能带间隙。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述沟道层为GaN沟道层或者InGaN沟道层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟道层的厚度小于800纳米。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述ScAlN层的厚度为100纳米至10微米。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述ScAlN的晶格常数与所述AlGaN的晶格常数相同。
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