[发明专利]上电极组件、反应腔室以及原子层沉积设备

权利要求书

1.一种上电极组件，包括进气结构和上电极板，所述上电极板开设有主管路，所述进气结构用于将工艺气体自所述主管路引入反应腔室，其中，所述进气结构包括：

绝缘组件，置于所述上电极板上；

进气部件，置于所述绝缘组件上，并开设有第一进气管路，所述第一进气管路通过所述绝缘组件与所述主管路连通，且所述第一进气管路内壁通过所述绝缘组件与所述主管路内壁电气隔离；

所述绝缘组件包括：

绝缘部件，置于所述上电极板上，并开设有与所述主管路连通的第二进气管路；

进气栅，置于所述第二进气管路内，用于连通所述第一进气管路和所述第二进气管路；

所述进气栅的进气孔包括：至少一个第一进气孔和至少一个第二进气孔，所述第一进气孔沿所述进气栅的轴向延伸，所述第二进气孔的轴向与所述进气栅的轴向呈预设角度；

且所述第一进气孔的垂直于所述进气栅轴向的第一横截面形状与所述第二进气孔的垂直于所述进气栅轴向的第二横截面不同。

2.如权利要求1所述的上电极组件，其中，所述进气栅的轴线与所述第二进气管路的轴线重合。

3.如权利要求1所述的上电极组件，其中，所述预设角度的取值范围为30度至89度。

4.如权利要求1所述的上电极组件，其中，所述第一横截面形状为圆形，所述第二横截面形状为矩形，所述矩形的长边方向沿所述进气栅径向延伸。

5.如权利要求1所述的上电极组件，其中，所述第一进气孔为多个，且多个所述第一进气孔围成多圈同心圆；所述第二进气孔为多个，且多个所述第二进气孔的垂直于所述进气栅轴向的横截面沿所述同心圆径向延伸。

6.如权利要求5所述的上电极组件，其中，位于所述多圈同心圆的所述第一进气孔的横截面积沿所述同心圆径向逐渐增大。

7.如权利要求1所述的上电极组件，其中，所述第一进气孔为多个，所述多个第一进气孔在所述进气栅横截面的投影呈阵列排布。

8.如权利要求1所述的上电极组件，其中，所述第二进气孔为多个，所述多个第二进气孔在所述进气栅横截面的投影呈阵列排布。

9.如权利要求1所述的上电极组件，其中，所述上电极板为喷淋板。

10.如权利要求9所述的上电极组件，其中，所述喷淋板开设有喷孔，所述第一进气孔的轴线与所述喷孔的轴线相互错开，以增加所述工艺气体的气流均匀性。

11.一种反应腔室，包括腔室本体以及权利要求1至10任一项所述的上电极组件。

12.一种原子层沉积设备，包括权利要求11所述的反应腔室。