[发明专利]具有抑制突波噪声功能的位移暂存器及其驱动方法

说明书

一种具有抑制突波噪声功能的位移缓存器及其驱动方法。该位移暂存器包括一移位电路及二突波消除电路。该移位电路具有一输出节点及一拔靴节点。各该突波消除电路包括一第一晶体管、一第二晶体管及一第三晶体管。该第一晶体管具有一第一栅极。该第一栅极被施加一电源电压，以使该第一晶体管输出一启动电压。该第二晶体管具有一第二栅极。该第二栅极电性连接于该拔靴节点，以使该第二晶体管于该拔靴节点的一拔靴电位高于一预定位准时，输出一关闭电压。该第三晶体管具有一第三栅极。该第三栅极电性连接于该第一晶体管，以使该第三栅极被施加该启动电压时，该第三晶体管输出一预定电压至该位移电路的该输出节点。

技术领域

本发明是有关于一种暂存器及其驱动方法，且特别是有关于一种具有抑制突波噪声功能的位移暂存器及其驱动方法。

背景技术

近年来，薄膜晶体管面板技术不断地进步，例如系统整合式玻璃面板技术(System-on-glass,SOG)是目前发展的技术之一。系统整合式玻璃面板技术可采用非晶硅(amorphous silicon,a-Si)工艺、金属氧化物半导体(IGZO)工艺与低温多晶硅(LowTemperature poly-silicon,LTPS)工艺来实现。低温多晶硅晶体管与非晶硅晶体管的最大区别在于其电性与工艺繁简的差异。低温多晶硅晶体管拥有较高的载子移动率，然而其工艺上却较繁复；金属氧化物半导体拥有较佳的低漏电流；而非晶硅晶体管的工艺较简单且成熟，因此在成本上具有不错的竞争优势。

根据研究人员的实验，使用非晶硅晶体管所组成的位移暂存器，容易于输出节点受到时脉信号的影响，而产生多个突波噪声(ripple noise)，使得位移暂存器的操作较不稳定。

发明内容

本发明是有关于一种具有抑制突波噪声功能的位移暂存器及其驱动方法，其利用二突波消除电路在拔靴节点及输出节点提供稳定的预定电压，使得拔靴节点及输出节点的突波噪声能够抑制，提高位移暂存器的可靠度。

根据本发明的第一方面，提出一种位移暂存器。该位移暂存器包括一移位电路及二突波消除电路。该移位电路具有一输出节点及一拔靴节点。各该突波消除电路包括一第一晶体管、一第二晶体管及一第三晶体管。该第一晶体管具有一第一栅极。该第一栅极被施加一电源电压，以使该第一晶体管输出一启动电压。该第二晶体管具有一第二栅极。该第二栅极电性连接于该拔靴节点，以使该第二晶体管于该拔靴节点的一拔靴电位高于一预定位准时，输出一关闭电压。该第三晶体管具有一第三栅极。该第三栅极电性连接于该第一晶体管，以使该第三栅极被施加该启动电压时，该第三晶体管输出一预定电压至该位移电路的该输出节点。该第三栅极亦电性连接于该第二晶体管，以使该第三栅极被施加该关闭电压时，该第三晶体管不输出该预定电压。

根据本发明的第二方面，提出一种位移暂存器的驱动方法。该位移暂存器包括一位移电路及二突波消除电路。该移位电路具有一输出节点及一拔靴节点。各该突波消除电路包括一第一晶体管、一第二晶体管及一第三晶体管。该驱动方法包括以下步骤。施加一电源电压于该第一晶体管的一第一栅极，以使该第一晶体管输出一启动电压。当该拔靴节点的一拔靴电位高于一预定位准，且施加至该第二晶体管的一第二栅极时，该第二晶体管输出一关闭电压。当该第三晶体管的一第三栅极被施加该启动电压时，该第三晶体管输出一预定电压至该位移电路的该输出节点。当该第三晶体管的该第三栅极被施加该关闭电压时，该第三晶体管不输出该预定电压。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下：

附图说明

图1绘示根据一实施例的位移暂存器的示意图。

图2绘示根据一实施例的拔靴节点、二时脉信号及输出节点的电位变化曲线。

图3绘示根据一实施例的位移暂存器的驱动方法的流程图。

图4绘示在突波消除电路发挥功效的情况下，拔靴节点、二时脉信号及输出节点的电位变化曲线。