[发明专利]一种聚合物基介电材料的制备方法

权利要求书

1.一种聚合物基介电材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

1)填料预处理：将纳米陶瓷粒子与表面活性剂置于高速球磨机中，进行球磨预处理8-15min，得预处理纳米陶瓷粒子；

2)复合填料制备：采用超声辅助磁控溅射方法，将金属Ag负载在预处理纳米陶瓷粒子表面，得复合填料；

3)聚合物基介电材料的制备：将复合填料与聚偏氟乙烯在70-80℃下真空干燥70-80min，干燥后将复合填料与聚偏氟乙烯进行挤压熔融预混，最后将预混料和聚偏氟乙烯进行交替多层共挤挤出，得聚合物基介电材料。

2.根据权利要求1所述的聚合物基介电材料的制备方法，其特征在于，所述纳米陶瓷粒子为钛酸铜钙、钛酸钡或二氧化钛中任一种。

3.根据权利要求1所述的聚合物基介电材料的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂为非离子表面活性剂，添加方法采用雾化喷洒的方法，添加量为纳米陶瓷粒子质量的1-1.5％。

4.根据权利要求1所述的聚合物基介电材料的制备方法，其特征在于，所述球磨的转速为5000-6000r/min。

5.根据权利要求1所述的聚合物基介电材料的制备方法，其特征在于，所述超声的功率为1500-2000w,频率为10-15KHz。

6.根据权利要求1所述的聚合物基介电材料的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的条件为真空度为7×10^-4-9×10^-4Pa，工作气体为99.99％的氩气，气体流量为10-20mL/min，工作压强为0.4-0.8Pa，溅射功率为30-50w，溅射时间为100-120s。

7.根据权利要求1所述的聚合物基介电材料的制备方法，其特征在于，所述多层共挤挤出的条件为，一段温度为180-190℃，二段温度为190-210℃，三段、口模和层叠器的温度为200-220℃，螺杆转速为65-80r/min，挤出压力为0.4-0.8MPa。

8.根据权利要求1所述的聚合物基介电材料的制备方法，其特征在于，所述聚合物基介电材料中复合填料与聚偏氟乙烯的质量比为0.15-0.25:1。