[发明专利]等离子体处理装置和静电吸附方法

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置、静电吸附方法和静电吸附程序，能够抑制聚焦环的吸附力的降低。在静电吸盘(25)的外周部(25b)载置聚焦环(30)，在内部以与聚焦环(30)相对地设置有电极板(29)。直流电源(28)在等离子体处理的期间中，对电极板(29)周期性地施加不同极性的电压，或者阶段性地施加绝对值大的电压。

技术领域

本发明的各个方面和实施方式涉及等离子体处理装置、静电吸附方法和静电吸附程序。

背景技术

一直以来，已知对半导体晶片等的被处理体使用等离子体进行蚀刻等的等离子体处理的等离子体处理装置。在这样的等离子体处理装置中，以等离子体的均匀化为目的在被处理体的外周部设置聚焦环。

在等离子体处理装置中，已知抑制聚焦环的位置偏移的如下技术。在等离子体处理装置中，在载置聚焦环的载置台设置静电吸盘，在等离子体处理期间中对静电吸盘施加一定的电压来利用静电吸盘的静电力吸附聚焦环。

现有技术文献

专利文献

技术文献1：日本特开2016-122740号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，在近年来，等离子体处理装置具有对被处理体的等离子体处理期间变长的倾向。例如，三维NAND闪存随着器件的新一代的发展，具有层叠数增加的倾向，加工所需要的等离子体处理期间也变长。

但是，在等离子体处理装置中，在对静电吸盘施加一定的电压进行聚焦环的吸附的情况下，当等离子体处理期间变长时，存在聚焦环的吸附力降低的情况。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一方面的等离子体处理装置包括载置台和电压施加部。载置台载置聚焦环且在内部以与上述聚焦环相对方式设置有电极。电压施加部在等离子体处理的期间中对电极周期性地施加不同极性的电压或者阶段性地施加绝对值大的电压。

发明的效果

根据本发明各个方面和实施方式，能够起到能够抑制聚焦环的吸附力降低的效果。

附图说明

图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略构成的截面图。

图2是表示电极板的设置方式的一个例子的图。

图3是示意地表示现有技术的电荷的迁移的图。

图4是表示测量现有技术的导热气体的泄露量的试验结果的一个例子的图。

图5是示意地表示施加电压的变化模式的图。

图6是示意地表示本实施方式的电荷的迁移的图。

图7是表示测定实施方式的导热气体的泄露量的试验结果的一个例子的图。

图8是表示电力密度和切换周期的关系的一个例子的图。

图9A是示意地表示施加电压的变化模式的一个例子的图。

图9B是示意地表示施加电压的变化模式的一个例子的图。

图9C是示意地表示施加电压的变化模式的一个例子的图。

图10是表示电极板的设置方式的一个例子的图。

图11是表示实施方式的静电吸附处理的时序图的一个例子的图。

附图标记说明

1 等离子体处理装置

10 处理容器

11 基座