[发明专利]发光二极管封装结构及封装方法在审
申请号: | 201810559134.5 | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN110556464A | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 陈雨叁;刘莹莹;王艳刚 | 申请(专利权)人: | 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/52;H01L33/00 |
代理公司: | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 贾凤涛 |
地址: | 518055 广东省深圳市南山区西丽*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波长转换层 发光二极管 波长 光学层 光转换 封装 发光二极管封装结构 封装结构 显色指数 导光层 申请 保证 | ||
1.一种发光二极管封装结构,其特征在于,所述封装结构包括第一波长转换层,第二波长转换层和第三光学层;
所述第一波长转换层位于所述第二波长转换层和所述发光二极管之间;所述第二波长转换层远离所述第一波长转换层的一侧设置有所述第三光学层,所述第三光学层包括导光层和/或者第三波长转换层;
其中,所述第一波长转换层用于将所述发光二极管发出的光转换为第一波长的光,所述第二波长转换层用于将所述发光二极管发出的光转换为第二波长的光,所述第一波长与所述第二波长不同,所述第三波长转换层用于将所述发光二极管发出的光转换为第三波长的光。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一波长转换层和/或所述第三光学层的导热系数大于所述第二波长转换层的导热系数。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一波长转换层和/或所述第三波长转换层为荧光陶瓷或荧光玻璃中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第二波长转换层为荧光陶瓷、荧光玻璃、硅胶荧光层、树脂荧光层、量子点薄膜中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述树脂荧光层和/或所述硅胶荧光层中的荧光粉粒径大于0,并且小于或者等于10微米。
6.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述硅胶荧光层和/或所述树脂荧光层厚度大于0,并且小于或者等于50微米。
7.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述树脂荧光层和/或所述硅胶荧光层中的荧光粉与树脂或硅胶的比例为1:1至1:10。
8.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一波长小于所述第二波长。
9.一种发光二极管封装方法,其特征在于,所述方法包括:
依序在发光二极管之上贴合叠置第一波长转换层、第二波长转换层和第三光学层;或者,先依序贴合叠置所述第一波长转换层、所述第二波长转换层和所述第三光学层,然后再将其贴合设置于所述发光二极管之上,并且所述第一波长转换层靠近所述发光二极管;
所述贴合方式采用无色透明光学胶贴合;
所述第三光学层包括导光层和/或者第三波长转换层;
所述第一波长转换层和所述第三波长转换层包括荧光陶瓷或荧光玻璃中的至少一种;
所述导光层包括透明陶瓷或玻璃中的至少一种;
所述第二波长转换层包括荧光陶瓷、荧光玻璃、硅胶荧光层、树脂荧光层、量子点薄膜中的至少一种。
10.根据权利要求9所述的封装方法,其特征在于,还包括下列步骤的至少一种:
所述硅胶荧光层或所述树脂荧光层的制备包括:将硅胶或树脂和荧光粉混合后进行点胶或刮涂,再固化以形成所述硅胶荧光层或所述树脂荧光层;
所述荧光玻璃的制备包括:将荧光粉、玻璃粉和有机载体混合后进行点胶或刮涂,再熔融成型以形成所述荧光玻璃;
所述荧光陶瓷的制备包括:将荧光陶瓷切割加工成薄片状的所述荧光陶瓷。
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