[发明专利]一种少井地区的有效烃源岩丰度的预测方法有效

专利信息
申请号: 201810559194.7 申请日: 2018-06-01
公开(公告)号: CN108717211B 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 张金亮;许广臣;李娜 申请(专利权)人: 北京师范大学
主分类号: G01V11/00 分类号: G01V11/00
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 刘奇
地址: 100000 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 有效烃 丰度 预测 分析数据 预测技术 地质层 测井 地震
【权利要求书】:

1.一种少井地区的有效烃源岩丰度的预测方法,所述有效烃源岩丰度包括有效烃源岩的厚度、TOC含量和镜质体反射率,包括以下步骤:

(1)采用油源对比分析烃源岩样本与原油样本,确定研究区内主力烃源岩发育地层;

(2)有效烃源岩厚度及分布的获取:

利用录井岩屑资料,得到所述主力烃源岩发育地层的单井泥岩百分比;

采用时深转化将测井数据从深度域转化为时间域,得到单井地震属性,以单井泥岩百分比为因变量,以单井地震属性为自变量,建立地震属性与泥岩百分比之间的线性预测模型;

将所述线性预测模型应用于主力烃源岩发育地层,得到主力烃源岩发育地层泥岩百分比的预测结果;

利用地震解释技术,得到主力烃源岩发育地层的总厚度,所述主力烃源岩发育地层的总厚度与所述主力烃源岩发育地层泥岩百分比预测结果相乘得到研究区有效烃源岩的厚度及分布;

(3)有效烃源岩TOC含量分布的获取:

采用岩石热解地球化学分析确定主力烃源岩发育地层TOC下限值;将单井TOC含量与测井曲线值进行相关分析,选取有效测井曲线,建立单井TOC含量与有效测井曲线之间的多元回归预测模型;

将所述多元回归预测模型应用于主力烃源岩发育地层,得到主力烃源岩发育地层TOC分布曲线;

利用测井曲线计算得到地球物理参数曲线,对所述主力烃源岩发育地层的TOC分布曲线与地球物理参数曲线进行相关分析,基于最小二乘原理,建立一元拟合方程;

利用地球物理反演技术,反演得到各地球物理参数数据体,并依据所述一元拟合方程将所述地球物理参数数据体转化成为主力烃源岩发育地层TOC数据体;剔除所述主力烃源岩发育地层TOC数据体中TOC值<主力烃源岩发育地层TOC下限值的数据,得到研究区有效烃源岩TOC含量分布图;

(4)有效烃源岩Ro分布的获取:

根据研究区镜质体反射率Ro的平面等值线图,圈定2>Ro>0.5的区域,得到研究区有效烃源岩Ro分布图。

2.根据权利要求1所述的预测方法,其特征在于,所述步骤(1)中油源对比分析的方法包括以下步骤:利用色谱质谱联用仪分别对所述烃源岩样本和原油样本进行检测,得到烃源岩样本与原油样本中生物标志物的m/z 217和m/z 191质量色谱图,比较烃源岩样本与原油样本质量色谱图的相似程度,找到与原油样本质量色谱图相似的烃源岩样本,即主力烃源岩发育地层。

3.根据权利要求2所述的预测方法,其特征在于,所述生物标志物包括异构烷烃、甾族和多环萜类。

4.根据权利要求1所述的预测方法,其特征在于,所述主力烃源岩发育地层的单井泥岩百分比的获取方法,包括以下步骤:利用录井岩屑资料得到录井岩性柱状图,在所述录井岩性柱状图上读取主力烃源岩发育地层的顶底界面深度,计算主力烃源岩发育地层顶底界面深度差,即为主力烃源岩发育地层的总厚度;

在所述录井岩性柱状图上读取主力烃源岩发育地层泥岩层的顶底界面深度,计算主力烃源岩发育地层泥岩层的顶底界面深度差,即为各个泥岩层厚度;将所有泥岩层厚度求和,即为主力烃源岩发育地层泥岩层总厚度;

所述主力烃源岩发育地层的单井泥岩百分比为所述主力烃源岩发育地层泥岩层总厚度与所述主力烃源岩发育地层总厚度的比值。

5.根据权利要求1所述的预测方法,其特征在于,所述主力烃源岩发育地层TOC下限值的确定方法包括:采集烃源岩井壁取芯或岩屑样本,利用LECO CS-344红外碳硫测定仪测量得到所述烃源岩井壁取芯或岩屑样本的TOC含量记为W(TOC);

利用岩石热解分析法,获得所述烃源岩井壁取芯或岩屑样本的热解S1值,S1值为300℃时检测的单位质量烃源岩井壁取芯或岩屑样本的烃含量;分析S1/W(TOC)-W(TOC)散点交会图,其中散点数据趋势线峰值处对应的TOC值,即为主力烃源岩发育地层TOC下限值。

6.根据权利要求1所述的预测方法,其特征在于,所述步骤(3)中的地球物理参数包括:纵波阻抗、密度、横纵波速度比、泊松比、纵波速度和横波速度。

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