[发明专利]一种电阻复用的过流保护电路在审

专利信息
申请号: 201810559463.X 申请日: 2018-06-02
公开(公告)号: CN108521119A 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 陈磊 申请(专利权)人: 丹阳恒芯电子有限公司
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212300 江苏省镇*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 过流保护电路 电路 核心保护 电阻 复用 偏置电流 偏置电压 限流保护 转换效率 检测 功耗 关断
【权利要求书】:

1.一种过流保护电路,其特征在于,包括:一偏置电路,提供偏置电压和偏置电流;一核心保护电路,检测到过流就自动进行限流保护;一自检电路,检测所述核心保护电路是否正常开启,并且配合调整其检测精度。

2.如权利要求1所述的一种过流保护电路,其特征在于,所述偏置电路由第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4和第一电阻R1构成;PM1管的源极和PM3管的源极接输入电压VIN,PM1管的栅极和PM3管的栅极接GND,PM1管的漏级和PM2管的源极相连接,PM3管的漏级和PM4管的源极相连接,PM2管的栅极与PM4管的栅极、PM2管的漏极、NM2管的漏极和NM2管的栅极相连接;NM2管的源极与NM1管的漏极相连;PM4管的漏极与NM4管的栅极和NM4管的漏极相连接;NM4管的源极与NM1管的栅极、NM3管的栅极和NM3管的漏极相连接;NM1管的源极连接电阻R1的一端;电阻R1的另一端和NM3管的源极都接地。

3.如权利要求1所述的一种过流保护电路,其特征在于,所述核心保护电路由第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第九PMOS管PM9、第十PMOS管PM10、第十一PMOS管PM11、第十二PMOS管PM12、第十三PMOS管PM13、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第一电容C1,第四电阻R4和第五电阻R5;PM5管的源极、PM7管的源极、PM9管的源极、PM11管的源极、PM12管的源极和PM13管的源极都连接到输入电压VIN;PM5管的栅极接输入控制信号CT5,PM5管的漏极连接PM6管的源极;PM6管的栅极与PM2管的栅极、PM8管的栅极和PM10管的栅极相连接;PM6管的漏极与PM8管的漏极、PM10管的漏极、NM5管的漏极和PM12管的栅极相连接;PM7管的栅极连接输入控制信号CT1;PM7管的漏极连接PM8管的源极;PM9管的栅极连接输入控制信号CT2;PM9管的漏极连接PM10管的源极;PM11管的栅极与PM12管的漏极、PM13管的栅极和电容C1的一端相连接;PM11管的漏极连接NM6管的栅极、NM6管的漏级、NM5管的栅极和电阻R4的一端,其节点标注为A;PM13管的漏极连接电阻R5一端,其节点作为输出端VOUT;电容C1的另外一端、电阻R4的另外一段和电阻R5的另外一端连接在一起;NM5管的源极和NM6管的源极都接地。

4.如利要求2所述的偏置电路,其特征在于PM1管和PM3管的栅极接地,可以提高电流镜像的准确性,减小偏置电流和偏置电压的误差。

5.如权利要求3所述的核心保护电路,其特征在于有三个支路电流,分别是流过PM6的电流、流过PM8的电流和流过PM10的电流,该三支路电流可以根据测试结果调整是采用其中的一路电流,还是两路电流还是三路电流,该支路电流分别受输入控制电压CT5、CT1和CT3的控制;该三条支流的电流关系是1:2:4,最终组合出来的电流是偏置电流的1-7倍可调,使得比较电流有较大的调整范围,也就能更加精确的来判断电路是否过流,是否需要启动保护。

6.如利要求3所述的核心保护电路,其特征在于电阻R4、电阻R5和电容C1,电阻R4和R5串联后来使得A点和VOUT点电压一致,同时电容C1和电阻R5的构成,可以提高该系统的相位裕度,大大改善其系统稳定性,提高了系统的可靠性;电容C1为补偿电容,电阻R5为调零电阻,电阻R5起到两个作用,电阻R5被复用。

7.如权利要求1所述的一种过流保护电路,其特征在于,所述自检电路由第十四PMOS管PM14、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8、第二电阻R2和第三电阻R3构成;PM14管的源极连接节点VOUT;PM14管的栅极连接PM14管的漏极、NM7管的漏极和电阻R2的一端;NM7管的栅极连接输入控制信号CT3;NM7管的源极连接NM8管的漏极、电阻R2的另一端和电阻R3的一端;NM8管的栅极连接输入控制信号CT4;电阻R3另一端和NM8管的源极都接地。

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