[发明专利]一种制备Cu掺杂稀磁半导体薄膜的方法在审
| 申请号： | 201810560499.X | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108642462A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 沈洪雪;姚婷婷;杨勇;李刚 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/22;C23C14/58;C23C14/14;C23C14/06;H01F41/18 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 稀磁半导体薄膜 磁控溅射设备 掺杂 离子束沉积 衬底表面 复合薄膜 样品台 真空腔 沉积 制备 加热 薄膜 室内 反应气体 工作气体 加热系统 溅射靶材 退火处理 均匀化 可控性 离子束 油污 溅镀 去除 清洗 转入 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备Cu掺杂稀磁半导体薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；
S2、采用离子束沉积设备与磁控溅射设备，衬底置于离子束沉积设备的真空腔室内，通过离子束在衬底表面沉积Cu层；
S3、沉积有Cu层的衬底转入磁控溅射设备的真空腔室内，采用Al靶为溅射靶材，工作气体Ar，反应气体N2，在Cu层表面溅镀AlN层，得到复合薄膜；
S4、加热磁控溅射设备放置衬底的样品台至500℃，对步骤S3得到的复合薄膜退火处理，最终得到Cu掺杂稀磁半导体薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种制备Cu掺杂稀磁半导体薄膜的方法，其特征在于，步骤S2的Cu层厚度为10nm。
3.根据权利要求1所述的一种制备Cu掺杂稀磁半导体薄膜的方法，其特征在于，步骤S3磁控溅射时，Al靶同时采用直流电源与射频电源，Al靶直流功率80W、射频功率70W，工作气压0.6Pa,Ar流量15sccm，N2流量8sccm，溅射时间30min。
4.根据权利要求1所述的一种制备Cu掺杂稀磁半导体薄膜的方法，其特征在于，步骤S4退火时间2小时。
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