[发明专利]一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810560536.7 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108707865A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 沈洪雪;倪嘉;姚婷婷;杨勇;李刚 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/22 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子束沉积 线性离子源 沉积设备 类金刚石薄膜 钨掺杂 衬底 钨靶 制备 氩离子轰击 衬底表面 真空腔室 掺杂源 可控性 甲烷 油污 去除 离子 连通 清洗 | ||
【权利要求书】：
1.一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、清洗衬底,去除衬底表面的油污和杂质；
S2、采用连通的离子束沉积设备与线性离子源沉积设备，离子束沉积设备采用钨靶为掺杂源，线性离子源沉积设备采用甲烷为碳源；将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室中，开启离子束沉积设备，使氩离子轰击钨靶，同时开启线性离子源沉积设备，进行碳源的注入，钨与碳相反应在衬底上得到钨掺杂类金刚石薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底采用单晶硅衬底。
3.根据权利要求1或2所述的一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2的钨靶纯度为99.99%。
4.根据权利要求1或2所述的一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2离子束沉积设备与线性离子源沉积设备同时工作前还包括离子束沉积设备的预溅射步骤。
5.根据权利要求1所述的一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2离子束沉积设备的工作电流为0.1～0.3A，线性离子源沉积设备的工作电流为0.5～1A。
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