[发明专利]静态随机存储单元及其制作方法

权利要求书

1.一种静态随机存储单元，其特征在于，所述静态随机存储单元至少包括：

第一PMOS上拉管、第二PMOS上拉管、第一NMOS下拉管、第二NMOS下拉管、第一NMOS存取管、第二NMOS存取管、第三NMOS存取管及第四NMOS存取管；

其中，所述第一PMOS上拉管的栅极与所述第二PMOS上拉管的漏极相连，所述第一PMOS上拉管的漏极与所述第二PMOS上拉管的栅极相连，所述第一PMOS上拉管的源极和所述第二PMOS上拉管的源极均接高电平；

所述第一NMOS下拉管的栅极与所述第二NMOS存取管的源极相连，所述第一NMOS下拉管的漏极与所述第一PMOS上拉管的漏极、所述第一NMOS存取管的源极相连，所述第二NMOS下拉管的栅极与所述第三NMOS存取管的源极相连，所述第二NMOS下拉管的漏极与所述第二PMOS上拉管的漏极、所述第四NMOS存取管的源极相连，所述第一NMOS下拉管的源极和所述第二NMOS下拉管的源极均接低电平；

所述第一NMOS存取管的源极与所述第三NMOS存取管的漏极相连，所述第一NMOS存取管的漏极连接存储单元的位线，所述第一NMOS存取管的源极与第一PMOS上拉管的漏极、第一NMOS下拉管的漏极相连构成第一存储节点，所述第一NMOS存取管的栅极和第二NMOS存取管的栅极均受字线控制；

所述第四NMOS存取管的源极与所述第二NMOS存取管的漏极相连，所述第四NMOS存取管的漏极连接存储单元的反位线，所述第四NMOS存取管的源极与第二PMOS上拉管的漏极、第二NMOS下拉管的漏极相连构成第二存储节点，所述第三NMOS存取管的栅极和第四NMOS存取管的栅极均受字线控制。

2.根据权利要求1所述的静态随机存储单元，其特征在于：所述第一PMOS上拉管、第一NMOS下拉管、第二PMOS上拉管以及第二NMOS下拉管中至少有一个采用L型栅；对于NMOS下拉管，其L型栅的弯折角外侧区域设有一P型重掺杂体接触区，所述P型重掺杂体接触区与其所在NMOS管的体区及N型重掺杂源区均相互接触；对于PMOS上拉管，其L型栅的弯折角外侧区域设有一N型重掺杂体接触区，所述P型重掺杂体接触区与其所在PMOS管的体区及P型重掺杂源区均相互接触。

3.根据权利要求2所述的静态随机存储单元，其特征在于：所述N型重掺杂源区及所述P型重掺杂体接触区上部形成有金属硅化物。

4.根据权利要求2所述的静态随机存储单元，其特征在于：所述P型重掺杂源区及所述N型重掺杂体接触区上部形成有金属硅化物。

5.根据权利要求3或4所述的静态随机存储单元，其特征在于：所述金属硅化物选自硅化钴及硅化钛中的任意一种。

6.根据权利要求1或2所述的静态随机存储单元，其特征在于：所述静态随机存储单元采用自下而上依次包括背衬底、绝缘埋层及顶层硅的SOI衬底，各晶体管所在有源区之间通过上下贯穿所述顶层硅的浅沟槽隔离结构隔离。

7.根据权利要求1或2所述的静态随机存储单元，其特征在于：所述第一NMOS存取管、所述第二NMOS存取管、所述第三NMOS存取管及所述第四NMOS存取管采用普通栅NMOS管、T型栅NMOS管或H型栅NMOS管中的一种或几种组合。

8.一种静态随机存储单元的制作方法，用于制备如权利要求1-7任意一项所述的静态随机存储单元，其特征在于，所述静态随机存储单元的制作方法至少包括：

1)提供一自下而上依次包括背衬底、绝缘埋层及顶层硅的SOI衬底，在所述顶层硅中制作浅沟槽隔离结构，定义出有源区；

2)依据所述有源区的位置在所述顶层硅中制作N阱、第一P阱及第二P阱，其中，所述N阱位于所述第一P阱及第二P阱之间；

3)在所述N阱中制作第一PMOS上拉管及第二PMOS上拉管；在所述第一P阱中制作第一NMOS下拉管、第一NMOS存取管及第二NMOS存取管；在所述第二P阱中制作第二NMOS下拉管、第三NMOS存取管及第四NMOS存取管；

4)制作金属过孔及相应金属连线，以完成所述静态随机存储单元的制作。