[发明专利]一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳及其制造方法有效
| 申请号： | 201810562755.9 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108411371B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 裴延玲;宫声凯;林杰;李树索;胡斌 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B19/00;B22D27/20;B22C9/04 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 程华 |
| 地址： | 100089*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 籽晶 法单晶 生长 取向 精确 控制 及其 制造 方法 | ||
1.一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，其特征在于：包括依次连接的一级放大器、一级引晶段、二级放大器和二级引晶段，所述一级放大器和所述二级放大器均为两端开口的圆锥形壳体，所述一级引晶段和所述二级引晶段均呈两端开口的圆柱形壳体，所述一级放大器直径较大的一端与所述一级引晶段密封连接，所述一级引晶段的另一端密封连接有圆环形挡板，所述圆环形挡板的内圈与所述二级放大器直径较小的一端密封连接，所述二级放大器直径较大的一端与所述二级引晶段的一端密封连接；所述一级放大器的锥度大于所述二级放大器的锥度，所述一级放大器的底面直径与所述二级放大器的底面直径相等；所述一级引晶段的直径和所述二级引晶段的直径相等。
2.根据权利要求1所述的籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，其特征在于：所述二级放大器的锥度为20°-30°。
3.根据权利要求1所述的籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，其特征在于：所述一级引晶段的长度和所述二级引晶段的长度均为10-15mm。
4.根据权利要求1所述的籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，其特征在于：所述一级放大器的长度为籽晶高度的1/3。
5.根据权利要求1所述的籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，其特征在于：所述一级放大器、所述一级引晶段、所述二级放大器、所述圆环形挡板和所述二级引晶段的材料均为陶瓷。
6.根据权利要求1所述的籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，其特征在于：所述一级放大器、所述一级引晶段、所述二级放大器、所述圆环形挡板和所述二级引晶段一体成型。
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