[发明专利]带有过渡层的核壳结构量子点、制备方法和应用及光阳极、太阳能光电化学器件和应用在审
| 申请号： | 201810563746.1 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108806989A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 赵海光 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴啸寰 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子点 过渡层 核壳结构 制备方法和应用 太阳能光电 化学器件 光阳极 壳层 半导体纳米材料 应用技术领域 材料结构 电子空穴 能带结构 太阳光 光电子 核层 应用 响应 | ||
1.一种带有过渡层的核壳结构量子点，其特征在于，量子点的结构为核层/过渡层/壳层；
其中，过渡层为yCdSexS1－x，壳层为CdS，且0＜x＜1，y＞1。
2.根据权利要求1所述的带有过渡层的核壳结构量子点，其特征在于，所述核层包括CdSe、CdSeTe、CdSTe、CdTe、PbSe、SnSe和CuInSSe中的至少一种；
优选地，所述量子点包括CdSe/yCdSexS1－x/CdS、CdSeTe/yCdSexS1－x/CdS、CdSTe/yCdSexS1－x/CdS、CdTe/yCdSexS1－x/CdS、PbSe/yCdSexS1－x/CdS、SnSe/yCdSexS1－x/CdS和CuInSSe/yCdSexS1－x/CdS中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的带有过渡层的核壳结构量子点，其特征在于，量子点的过渡层层数y为2～15，优选为3～10，进一步优选为4～6；
优选地，量子点的粒径为5～20nm，吸收波长范围为300～2000nm，发射波长范围为400～2200nm，半峰宽为15～150nm。
4.权利要求1～3任一项所述的带有过渡层的核壳结构量子点的制备方法，其特征在于，包括：先制备量子点核层；然后通过可选的离子交换的方法，制备核壳结构的量子点；再利用单层原子层生长的方法，在高于制备所述核壳结构的量子点的温度下，分别注射包含Cd离子和S/Se离子的前驱体，制备过渡层；最后利用Cd和S前驱体实现最外层的生长，制得核层/过渡层/壳层结构的核壳结构量子点；
优选地，对于高温下不稳定的量子点，制备方法包括：先制备量子点核层；然后通过离子交换的方法，制备核壳结构的量子点，壳层的厚度为0.3～1.5mm；再利用单层原子层生长的方法，在高于制备所述核壳结构的量子点的温度下，分别注射包含Cd离子和S/Se离子的前驱体，制备过渡层；最后利用Cd和S前驱体实现最外层的生长，制得核层/过渡层/壳层结构的核壳结构量子点；
优选地，对于高温下稳定的量子点，制备方法包括：先制备量子点核层；再利用单层原子层生长的方法，分别注射包含Cd离子和S/Se离子的前驱体，制备过渡层；最后利用Cd和S前驱体实现最外层的生长，制得核层/过渡层/壳层结构的核壳结构量子点。
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