[发明专利]一种新型无引线键合的MEMS传感器封装方法

权利要求书

1.一种新型无引线键合的MEMS传感器封装方法，其特征在于，该过程包括：

至少一个敏感区域暴露的单晶圆MEMS传感器芯片，

至少一个基板或电路板，基板或电路板上至少有一个通孔，

其它必要的电子元器件或ASIC芯片，

至少一个封装模具或制具，

至少一种封装材料。

所述方法具体包括如下步骤：

第一步，加工单晶圆MEMS传感器芯片，传感器芯片的电极均为可锡焊电极；

第二步，加工含有通孔的基板或电路板，所述基板或电路板上有与MEMS传感器芯片电极对应的可锡焊电极；

第三步，采用表面贴装工艺，将必要的电子元器件或ASIC芯片贴装在基板或PCB板上，同时将MEMS传感器也面对面贴装在基板或PCB板上，确保传感器芯片的敏感结构与基板或PCB板上的通孔位置对准，MEMS传感器芯片上的可锡焊电极与基板或PCB板上相应的可锡焊电极对准；

第四步，在MEMS传感器芯片上的可锡焊电极与基板或PCB板上相应的可锡焊电极之间进行锡焊组装；

第五步，设计并加工相应的模具，将完成MEMS传感器芯片贴装与焊接的基板或PCB板放入模具或制具中，往其中注入封装材料且完全覆盖已经组装的MEMS传感器，并除泡、固化后，得到封装的MEMS传感器产品。

2.一种如权利要求1所述的新型无引线键合的MEMS传感器封装方法，其特征在于，所述MEMS传感器芯片的电极是可锡焊多金属叠层电极，如Cu/Ni/Au、Ti/Ni/Au或Ti/Cr/Au构成的金属叠层或其它可锡焊电极。

3.一种如权利要求1所述的新型无引线键合的MEMS传感器封装方法，其特征在于，所述MEMS传感器芯片电极的单侧尺寸不小于40000μm²。

4.一种如权利要求1所述的新型无引线键合的MEMS传感器封装方法，其特征在于，所述MEMS传感器芯片的电极是电学连接的电极，或者是为了增强焊接强度的辅助电极，但至少有两个电学连接电极。

5.一种如权利要求1所述的新型无引线键合MEMS传感器封装方法，其特征在于，所述步骤四中焊接操作采用回流焊技术。

6.一种如权利要求1所述的新型无引线键合的MEMS传感器封装方法，其特征在于，所述步骤四中表面贴装通过非导电材料进行加固，相应材料可以是环氧树脂、聚氨酯或硅胶材料。

7.一种如权利要求1所述的新型无引线键合的MEMS传感器封装方法，其特征在于，所述步骤五中封装材料为橡胶或聚氨酯材料，或橡胶与聚氨酯材料的组合。