[发明专利]一种3000A半导体器件的功率循环试验系统

权利要求书

1.一种3000A半导体器件的功率循环试验系统，其特征在于，包括：焊接式半导体器件测试柜、压接式半导体器件测试柜、控制柜和水冷系统；所述控制柜与所述焊接式半导体器件测试柜或所述压接式半导体器件测试柜电连接；

所述焊接式半导体器件测试柜的内部从上到下依次设置多个第一测试区；每个所述第一测试区内均设置一组待测焊接式半导体器件组，每个所述待测焊接式半导体器件组均包括多个待测焊接式半导体器件；所述待测焊接式半导体器件组与所述水冷系统通过管道连接；当待测半导体器件为焊接式半导体器件时，所述待测焊接式半导体器件组通过第一测量线路接口与所述控制柜电连接；

所述压接式半导体器件测试柜的内部设置多个第二测试区；每个所述第二测试区内均设置一组待测压接式半导体器件组，每个所述待测压接式半导体器件组均包括多个待测压接式半导体器件；所述待测压接式半导体器件组与所述水冷系统通过管道连接；当待测半导体器件为压接式半导体器件时，所述待测压接式半导体器件组通过第二测量线路接口与所述控制柜电连接；

所述控制柜内设置测量控制区、电源放置区和开关控制区；所述测量控制区为一个封闭的区域；所述测量控制区内设置数据采集装置和移动终端；所述数据采集装置与所述待测焊接式半导体器件组或所述待测压接式半导体器件组电连接，用于采集待测电导体器件的电流、电压和温度；所述移动终端与所述数据采集装置电连接，用于对所述电流、所述电压和所述温度进行处理、存储和显示；所述电源放置区内设置3000A直流电源；所述开关控制区内设置多个控制支路区，每个控制支路区内设置一个控制支路，每个所述控制支路对应连接一组所述待测焊接式半导体器件组或一组所述待测压接式半导体器件组，每个控制支路还分别与所述移动终端和所述3000A直流电源连接。

2.根据权利要求1所述的一种3000A半导体器件的功率循环试验系统，其特征在于，所述待测焊接式半导体器件组还包括多个第一水冷散热器；所述第一水冷散热器与所述待测焊接式半导体器件对应设置，且设置在所述待测焊接式半导体器件的下侧。

3.根据权利要求1所述的一种3000A半导体器件的功率循环试验系统，其特征在于，所述待测压接式半导体器件组还包括多个第二水冷散热器；每两个所述第二水冷散热器之间设置一个待测压接式半导体器件；所述待测压接式半导体器件组通过夹具固定在所述第二测试区。

4.根据权利要求1所述的一种3000A半导体器件的功率循环试验系统，其特征在于，所述测量控制区内还设置有多个恒流源；每个所述恒流源并联在一组所述待测焊接式半导体器件组两端或并联在一组所述待测压接式半导体器件组两端。

5.根据权利要求1所述的一种3000A半导体器件的功率循环试验系统，其特征在于，所述开关控制区内还设置有辅助控制支路区；所述辅助控制支路区内设置有辅助控制支路，所述辅助控制支路分别与所述移动终端和所述3000A直流电源连接。

6.根据权利要求1所述的一种3000A半导体器件的功率循环试验系统，其特征在于，所述测量控制区内还设置有多个电压传感器；每个所述电压传感器并联在一个所述待测焊接式半导体器件两端或并联在一个所述待测压接式半导体器件两端。

7.根据权利要求5所述的一种3000A半导体器件的功率循环试验系统，其特征在于，所述测量控制区内还设置有两个电流传感器；两个所述电流传感器分别通过所述数据采集装置与所述移动终端相连，用于将采集的3000A直流电源输出的电流和流过所述辅助控制支路的电流通过所述数据采集装置在移动终端上处理、存储和显示。

8.根据权利要求1所述的一种3000A半导体器件的功率循环试验系统，其特征在于，所述焊接式半导体器件测试柜内部最底端的第一测试区下还设置有第一储物区；所述压接式半导体器件测试柜内部的第二测试区下还设置有第二储物区。