[发明专利]晶圆清洗装置及晶圆清洗方法

权利要求书

1.一种晶圆清洗装置，用于对基台(10)吸附的晶圆(20)进行清洗，所述基台(10)具有承载所述晶圆(20)的第一表面，其特征在于，所述晶圆清洗装置包括多个去离子水喷嘴(30)，所述去离子水喷嘴(30)设置于所述基台(10)的第一表面上方，各所述去离子水喷嘴(30)的喷射方向不同，且各所述去离子水喷嘴(30)的喷射方向与所述第一表面之间具有夹角θ，0°＜θ＜90°，

所述去离子水喷嘴(30)为两个，一个所述去离子水喷嘴(30)具有第一出水口，另一个所述去离子水喷嘴(30)具有第二出水口，所述第一出水口和所述第二出水口均靠近所述第一表面，所述基台(10)具有相对的第一侧和第二侧，所述第一出水口位于所述第一侧，所述第一出水口的喷射方向朝向所述第二侧，所述第二出水口位于所述第二侧，所述第二出水口的喷射方向朝向所述第一侧，且所述第一出水口的喷射方向与所述第二出水口的喷射方向在所述第一表面所在平面上的投影平行，

所述第一出水口的外侧与所述第二出水口的外侧相互抵接，

所述第一出水口沿喷嘴的径向截面为矩形，所述第二出水口沿喷嘴的径向截面为矩形，且所述第一出水口的至少一个边和所述第二出水口的至少一个边之间相互平行，

所述第一出水口沿喷嘴的径向截面与所述第二出水口沿喷嘴的径向截面具有相同的形状和面积。

2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，各所述去离子水喷嘴(30)包括连接的第一管件(310)和第二管件(320)，所述第一出水口和所述第二出水口分别一一对应地位于所述第一管件(310)上，垂直于所述第一管件(310)的延伸方向的任意截面为矩形，垂直于所述第二管件(320)的延伸方向的任意截面为圆形。

3.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

将晶圆(20)吸附于基台(10)的第一表面上；

利用所述基台(10)带动所述晶圆(20)转动，并将多组去离子水喷射于所述晶圆(20)的表面，各组所述去离子水的喷射方向不同，且各组所述去离子水的喷射方向与所述第一表面之间具有夹角θ，0°＜θ＜90°，

采用权利要求1或2所述的晶圆清洗装置将所述去离子水喷射于所述第一表面。