[发明专利]一种二极管电极生产制造方法

说明书

本发明涉及半导体生产技术领域，具体的说是一种二极管电极生产制造方法，该工艺采用的光刻机包括第一固定壳体、传送机构、第二固定壳体、刻蚀机构、送料机构、密封机构、调整机构及光刻机构，第一固定壳体内设有光刻机构。第二固定壳体内设有刻蚀机构，能够有效利用投影的硅胶板进行刻蚀，制作实体产品。第一固定壳体和第二固定壳体之间设有传送机构，能够保持第一固定壳体和第二固定壳体的密封性的同时，将第一固定壳体内投影好的硅胶板传送至第二固定壳体内刻蚀，实现连续化生产。第一固定壳体内利用送料机构进行送料，送料的同时，利用密封机构保持密封，密封机构打开的时候，同时保证不会有外界光投入，保证进料时的密封性。

技术领域

本发明涉及半导体生产技术领域，具体的说是一种二极管电极生产制造方法。

背景技术

二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。感应耦合等离子体刻蚀法是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。

在衍射光栅刻蚀硅片板的过程中，光刻以及刻蚀的时候，均要保证密封，第一固定壳体需要不透光，第二固定壳体需要真空，所以在光刻之后，不能实现将光刻的硅片板利用传送带连续输送到刻蚀机内。同时在光刻的时候，不能够实现进料的同时，保证密封性。鉴于此，本发明提供了一种二极管电极生产制造方法，能够有效利用投影的硅胶板进行刻蚀、实现连续化生产、保证了进料的密封性，改善了产品的质量和完整性。

发明内容

针对现有技术中的问题，本发明提供了一种二极管电极生产制造方法，本工艺采用的光刻机中第一固定壳体内设有光刻机构，能够有效在硅胶板上投影，形成模型。第二固定壳体内设有刻蚀机构，能够有效利用投影的硅胶板进行刻蚀，制作实体产品。第一固定壳体和第二固定壳体之间设有传送机构，能够保持第一固定壳体和第二固定壳体的密封性的同时，将第一固定壳体内投影好的硅胶板传送至第二固定壳体内刻蚀，实现连续化生产。第一固定壳体内利用送料机构进行送料，送料的同时，利用密封机构保持密封，密封机构打开的时候，同时保证不会有外界光投入，保证第一固定壳体内的进料的密封性，保证产品的质量和完整性。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种二极管电极生产制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一：采用已做完硼、磷扩散的衬底硅片，在匀胶机上涂布BP218光刻胶；

步骤二：步骤一中涂胶完成后，在90℃条件下，进行烘干；

步骤三：步骤二中硅片烘干后，通过光刻机对硅片进行曝光16s～20s；

步骤四：步骤三中曝光结束后，将硅片放入显影液显影；

步骤五：步骤四中完成显影后，利用真空镀膜机进行电极蒸镀，上电极蒸镀钛层、钯层和银层；

步骤六：对步骤五中完成蒸镀的硅片去胶；