[发明专利]一种Ag修饰多孔结构Cu3

权利要求书

1.一种Ag修饰多孔结构Cu₃P/泡沫铜复合电极，其特征在于，所述复合电极是由生长于泡沫铜骨架表面的单分散Ag修饰多孔结构Cu₃P组成，所述复合电极用于产氢反应和有机染料降解高效电催化电极；所述复合电极的制备方法是泡沫铜既作为电极基底材料又作为反应物，采用室温液相氧化，再经磷化得到在泡沫铜上原位生长的单分散Ag修饰的多孔结构Cu₃P电极复合电极，其制备方法包括下述步骤：

(1)先将泡沫铜裁剪为1cm×1cm的正方形电极片，再将裁剪好的泡沫铜电极片浸泡在丙酮中，超声5-10min后，将电极片取出，放入去离子水中，超声水洗5-10min，再将电极片取出，放入2mol/L盐酸中浸泡10-15min，然后，将电极片取出，用去离子水淋洗后，放入真空干燥箱中进行干燥；

(2)称取0.2-1.6g氢氧化钠，溶解于10-50ml去离子水中，之后，搅拌下加入0.2-1.6mL过氧化氢溶液，再加入10ml含0.01-0.1g硝酸银的溶液，混合均匀；

(3)迅速将步骤(1)预处理过的泡沫铜电极片放入步骤(2)所得反应溶液中，在室温下反应1-12h,然后将电极片取出，分别用去离子水和无水乙醇洗涤三遍，在真空干燥箱中干燥；

(4)称取0.1-1.0g的次亚磷酸钠与步骤(3)得到的电极片一起放入密闭的容器中，在管式炉中以1-10℃/min的升温速率升温至300-400℃，保温1-4h，待冷却至室温后，将电极片分别用去离子水和无水乙醇洗涤三次，最后置于真空干燥箱中干燥，得到Ag修饰多孔结构Cu₃P/泡沫铜复合电极。