[发明专利]一种导电金属氧化物的加工方法有效
申请号: | 201810569486.9 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN110571129B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 黄志刚 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导电 金属 氧化物 加工 方法 | ||
本发明提供一种导电金属氧化物的加工方法,在刻蚀完的晶片后,先采用加热方式去除晶片光刻胶图形、导电金属氧化物层及金属层表面残留的卤族元素以及卤族元素化合物,可有效避免卤族元素对金属层的腐蚀,然后采用氧气(O2)的等离子体去除光刻胶,且气体中不包含水气(H2O),可有效避免水气的等离子体对导电金属氧化物的腐蚀。采用本发明的加工方法,在完全去除光刻胶图形的同时,可以获得形貌完整的导电金属氧化物层‑金属层的叠层结构。
技术领域
本发明属于半导体制造领域,特别是涉及一种导电金属氧化物的加工方法。
背景技术
氧化铟锡(ITO)作为纳米铟锡金属氧化物,具有很好的导电性和透明性,可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此,氧化铟锡(ITO)通常喷涂在玻璃、塑料、金属及电子显示屏上,用作透明导电薄膜,同时减少对人体有害的电子辐射、紫外辐射及红外辐射。
在制作OLED基板的时,通常需要搭配氧化铟锡(ITO)和金属Al,为形成图形化的氧化铟锡(ITO)和金属Al,需要在氧化铟锡(ITO)和金属Al上利用掩膜版进行光刻图形定义,再对氧化铟锡(ITO)和金属Al进行干法刻蚀。具体步骤包括:在氧化硅衬底上依次沉积Al和氧化铟锡(ITO)。在氧化铟锡(ITO)表面形成图形化的光刻胶。采用干法刻蚀工艺,将光刻定义好的图形转移到下层金属Al和氧化铟锡(ITO)上。
氧化铟锡(ITO)和Al刻蚀完成后,若使用传统的H2O与O2等离子体去除光刻胶方法,H2O等离子会造成氧化铟锡(ITO)膜层腐蚀,导致图形定义异常。但是若用O2等离子体去除光刻胶,则残留的Cl则又会造成Al腐蚀。
基于以上所述,本发明提供一种氧化铟锡(ITO)和金属Al刻蚀后的去胶方法,以使氧化铟锡(ITO)和金属Al在图形化刻蚀后能顺利完成去胶,并确保氧化铟锡(ITO)和金属Al都不被腐蚀。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种导电金属氧化物的加工方法,用以解决以下问题:在氧化铟锡(ITO)和Al刻蚀完成后,若使用传统的H2O与O2等离子体去除光刻胶方法,H2O等离子会造成氧化铟锡(ITO)膜层腐蚀,导致图形定义异常。但是若用O2等离子体去除光刻胶,则残留的Cl则又会造成Al腐蚀。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种导电金属氧化物的加工方法,包括步骤:1)于基底上形成金属层,所述金属层易与卤族元素反应造成腐蚀;2)于所述金属层上形成导电金属氧化物层;3)于所述导电金属氧化物层上形成光刻胶图形;4)基于所述光刻胶图形,采用含有卤族元素的气体刻蚀所述导电金属氧化物层以及所述金属层;5)采用加热方式去除所述光刻胶图形、所述导电金属氧化物层及所述金属层表面的卤族元素以及卤族元素化合物;以及6)去除所述光刻胶图形。
优选地,所述卤族元素包括氟元素、氯元素及溴元素中的至少一种。
进一步地,步骤4)的刻蚀气体包括氯气,三氯化硼,三氟甲烷,氮气及氩气。
优选地,所述加热方式是在减压状态下的加热。
优选地,所述加热方式的加热温度大于100℃,加热时间大于30秒。
优选地,所述加热方式的加热温度大于200℃,加热时间大于60秒。
优选地,步骤6)中,采用灰化去胶的方式去除所述光刻胶图形。
优选地,所述灰化去胶的方式采用氧气的等离子体,且所述灰化去胶的气源中不包含水气,以避免水气的等离子体对所述导电金属氧化物层的腐蚀。
优选地,所述导电金属氧化物层包括氧化铟锡层,所述金属层包括铝层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新微技术研发中心有限公司,未经上海新微技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810569486.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多段式四极杆电极系统及其串联方法
- 下一篇:一种晶圆的对准键合方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造