[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一氧化物半导体膜；以及

所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，

其中，所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜均包含铟、镓及锌，

所述第一氧化物半导体膜中的铟的含有率比所述第二氧化物半导体膜小，而所述第一氧化物半导体膜中的镓的含有率比所述第二氧化物半导体膜大，

所述第二氧化物半导体膜包括c轴在平行于所述第二氧化物半导体膜被形成的表面的法线向量的方向上一致的结晶部，

并且，所述第一氧化物半导体膜包括低电阻区及高电阻区，该高电阻区处于所述第二氧化物半导体膜的外侧。

2.一种半导体装置，包括：

氧化膜上的第一氧化物半导体膜；

所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜；

所述第二氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；以及

隔着所述栅极绝缘膜在所述第二氧化物半导体膜上的栅电极，

其中，所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜均包含铟、镓及锌，

所述第一氧化物半导体膜中的铟的含有率比所述第二氧化物半导体膜小，而所述第一氧化物半导体膜中的镓的含有率比所述第二氧化物半导体膜大，

所述第二氧化物半导体膜包括c轴在平行于所述第二氧化物半导体膜被形成的表面的法线向量的方向上一致的结晶部，

并且，所述第一氧化物半导体膜包括低电阻区及高电阻区，该高电阻区处于所述第二氧化物半导体膜的外侧。

3.一种半导体装置，包括：

第一晶体管，其中所述第一晶体管的沟道形成区包括半导体材料；

所述第一晶体管上的绝缘膜；以及

所述绝缘膜上的第二晶体管，所述第二晶体管包括：

第一氧化物半导体膜；

所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜；

所述第二氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；以及

隔着所述栅极绝缘膜在所述第二氧化物半导体膜上的栅电极，

其中，所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜均包含铟、镓及锌，

所述第一氧化物半导体膜中的铟的含有率比所述第二氧化物半导体膜小，而所述第一氧化物半导体膜中的镓的含有率比所述第二氧化物半导体膜大，

并且，所述第二氧化物半导体膜的沟道宽度方向上的每个端部均包括高电阻区。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，还包括设置在所述栅极绝缘膜上的源电极和漏电极，

其中，所述栅极绝缘膜具有第一开口和第二开口，

所述源电极和所述漏电极分别经由所述第一开口和所述第二开口电连接至所述第二氧化物半导体膜，

并且，所述栅电极和所述第一开口之间的距离与所述栅电极和所述第二开口之间的距离不同。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二氧化物半导体膜包括结晶部。

6.根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第二氧化物半导体膜包括沟道区及与所述沟道区接触的一对低电阻区。

7.根据权利要求1-2中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第二氧化物半导体膜的沟道宽度方向上的每个端部均包括高电阻区。

8.根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体膜中的镓的含有率为铟的含有率以上。

9.根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第二氧化物半导体膜中的铟的含有率大于镓的含有率。