[发明专利]一种位置及尺寸精确可控的刻蚀方法有效
申请号: | 201810569867.7 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN108878283B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 雷鑫;袁志山;刘佑明;易新;王成勇 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/308 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 510006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 位置 尺寸 精确 可控 刻蚀 方法 | ||
1.一种位置及尺寸精确可控的刻蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1.提供两块模板,所述模板的厚度为1μm~200μm,所述模板为由特氟龙材料、有机玻璃材料、聚醚醚酮材料制成的耐腐蚀结构;
S2.根据芯片形状、厚度、所需刻蚀位置及所需刻蚀形状,加工制造第一刻蚀模板和第二刻蚀模板,所述第一刻蚀模板与第二刻蚀模板之间形成有与芯片配合的容置空间;
S3.将芯片置于第一刻蚀模板、第二刻蚀模板之间的容置空间内,并将芯片、第一刻蚀模板、第二刻蚀模板固装在液池中,所述液池包括第一液池和第二液池,所述第一液池与第二液池通过螺纹结构连接,所述第一液池、第二液池间形成有能够容纳第一刻蚀模板和第二刻蚀模板的第一空腔,所述第一刻蚀模板与第一液池之间、所述第二刻蚀模板与第二液池之间形成有容纳刻蚀液的第二空腔;所述第一液池、第二液池的一端均连接有用于刻蚀液流入第二空腔的管道;
S4.将刻蚀液注入步骤S3所述液池中进行刻蚀;
S5.取出经步骤S4刻蚀的芯片,并进行清洗和干燥。
2.根据权利要求1所述的位置及尺寸精确可控的刻蚀方法,其特征在于,步骤S1中,所述模板的形状为长方体、正方体、圆柱体的一种。
3.根据权利要求1所述的位置及尺寸精确可控的刻蚀方法,其特征在于,步骤S2中所述芯片选自硅片、单层芯片、复合芯片中的一种,所述芯片的形状为长方体、正方体、圆柱体的一种,所述芯片的厚度为100μm~2mm。
4.根据权利要求3所述的位置及尺寸精确可控的刻蚀方法,其特征在于,步骤S2中所述所需刻蚀形状为正方形、长方形、圆形、三角形、菱形、星形中的一种或多种的组合,所述所需刻蚀形状贯穿于模板设置。
5.根据权利要求3所述的位置及尺寸精确可控的刻蚀方法,其特征在于,步骤S2中所述加工制造采取的加工方式选自机械加工、激光加工、聚焦离子束加工中的一种或多种的组合。
6.根据权利要求1所述的位置及尺寸精确可控的刻蚀方法,其特征在于,步骤S3中所述液池为由特氟龙材料、有机玻璃材料、聚醚醚酮材料制成的耐腐蚀结构。
7.根据权利要求4所述的位置及尺寸精确可控的刻蚀方法,其特征在于,所述刻蚀液选自硫酸溶液、硝酸溶液、盐酸溶液、氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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