[发明专利]一种铝酸根插层的水滑石、其制备方法及用途

权利要求书

1.一种铝酸根插层的水滑石，其特征在于，其分子式如下：[Ma(II)_1−xMb(III)_x(OH)₂]^x+(Aⁿ⁻)_x/n·mH₂O，其中Mb(III)=Al³⁺；Ma(II)代表主体层板上的正二价金属阳离子，Aⁿ⁻是包括Al(OH)₄ ^-在内的插层阴离子，x值为0.20~0.33；其中Ma(II)= Zn²⁺、Mg²⁺、Fe²⁺、Co²⁺、Ni²⁺、Mn²⁺或Ca²⁺。

2.根据权利要求1所述的铝酸根插层的水滑石，其中Ma(II)= Zn²⁺或Mg²⁺。

3.根据权利要求1所述的铝酸根插层的水滑石，其中所述Aⁿ⁻还包括NO₃^-或CO₃^2-阴离子。

4.根据权利要求1所述的铝酸根插层的水滑石的制备方法，其特征在于，在氮气保护条件下，将含有正二价金属阳离子的水溶液和含有铝酸根的碱溶液充分混合，并控制所述反应过程中的pH在11~14，反应温度在70 ℃~100 ℃，由此使得所述正二价金属阳离子和一部分所述铝酸根离子各自发生水解，形成双羟基复合氢氧化物，并且有部分铝酸根离子插层到该水滑石的层间，得到所述铝酸根插层的水滑石；铝源和酸碱调节剂均为铝酸钠。

5.根据权利要求1所述的铝酸根插层的水滑石用作催化材料或3D打印材料的用途。