[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制造方法，先在第一电极的侧壁上形成上窄下宽的侧墙，由此可以利用侧墙的外侧壁进行缓冲，为后续电极间介质层的覆盖提供了相对平坦的工艺表面，由此可以防止后续形成的电极间介质层和第二电极因第一电极的相对台阶高度而破裂的问题，避免产品缺陷，提高产品合格率。进一步的，所述侧墙的材质为有机化合物和/或非晶碳，在刻蚀覆盖的有机化合物和/或非晶碳而形成侧墙的过程中，可以有利于第一电极的顶部上的脱膜，而且不会对第一电极的顶部表面造成损坏，保证了产品性能。本发明还提供一种半导体器件，采用本发明的半导体器件的制造方法形成。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

在一些半导体器件的制造过程中，需要先在晶圆基底上制造集成电路，所述集成电路包含驱动晶体管和/或开关晶体管等的电子元件以及将这些电子元件通过多层金属互连工艺与上层的功能元件电连接的多层金属互连结构，且一些半导体器件的多层金属互连结构中的最顶层互连金属(TOP metal TM)需要被构图(即图案化刻蚀)以用作上层的功能元件的一个电极，然后在所述集成电路芯片上制造所述上层的功能元件。然而，当直接在所述集成电路上制造上层的功能元件时容易出现产品缺陷，影响了产品的合格率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，能够降低第一电极的相对台阶高度，避免第一电极上方的材料破裂，提供产品合格率。

为了实现上述目的，本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

提供一具有层间介质层的衬底，所述层间介质层的表面上形成有第一电极，在所述第一电极的一侧的所述层间介质层中形成有焊盘开口；

在所述第一电极的侧壁形成侧墙，所述侧墙是上窄下宽的结构；

在所述第一电极、侧墙以及层间介质层的表面上依次形成电极间介质层以及与所述第一电极相对应的第二电极。

可选的，提供所述衬底的步骤包括：

提供一基底，采用CMOS工艺在所述基底上形成至少一个晶体管；

采用多层金属互连工艺在所述基底和所述晶体管元件的表面上形成与所述晶体管电连接的多层金属互连结构，所述多层金属互连结构包括最顶层互连金属层、位于所述最顶层互连金属层之下的次顶层互连金属层、位于最顶层互连金属层与次顶层互连金属层之间的所述层间介质层以及位于所述层间介质层的电连接所述最顶层互连金属层与次顶层互连金属层的顶部导电插塞结构；

图案化所述最顶层互连金属层，以形成所述第一电极，并暴露出所述层间介质层的用于形成所述焊盘开口的区域表面；

刻蚀暴露出的所述层间介质层用于形成所述焊盘开口的区域表面，以形成所述焊盘开口，所述焊盘开口暴露出所述次顶层互连金属层的顶部。

可选的，所述电极间介质层包括有机发光层，所述侧墙的材料为有机化合物和/或非晶碳。

可选的，所述有机化合物包括聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸、聚碳酸酯、聚二甲基硅氧烷、聚对二甲苯、聚四氟乙烯、聚对二甲苯、全氟癸羧酸、全氟辛基三氯硅烷、过氟奎基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、二氯二甲基硅烷、氯代硅烷、氯氟硅烷、甲氧基硅烷、三氯硅烷、硅酮、聚苯乙烯、聚氨基甲酸酯和聚硅氮烷中的至少一种。

可选的，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，且所述第二电极的材料包括铟锡氧化物和铟锌氧化物中的一种。

可选的，所述侧墙的外侧壁的上部为圆滑的曲线段，下部为直立或者倾斜的直线段或者曲线段。

可选的，在所述第一电极、侧墙以及层间介质层的表面上依次形成电极间介质层以及第二电极的步骤包括：

在所述第一电极、侧墙以及层间介质层的表面上覆盖电极间介质层；