[发明专利]量子点发光二极管器件及其制备方法、显示面板

说明书

本发明提供了量子点发光二极管器件及其制备方法、显示面板，该量子点发光二极管器件的制备方法包括：在基板上依次层叠阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层；在第一盖板和第二盖板上分别制备间隔的多个彩色膜区域，且相邻两个彩色膜区域的亲疏水性不同，在彩色膜区域内分别形成红色像素层和绿色像素层，在第一盖板和第二盖板上分别形成第一彩色膜层和第二彩色膜层；将形成于第一盖板上的第一彩色膜层与基板对组压合，将形成于第二盖板上的第二彩色膜层与阴极层对组压合，共同形成所述量子点发光二极管器件，从而实现以溶液态制程制备出双面全彩的量子点发光二极管器件，简化制备流程，降低制备成本。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及量子点发光二极管器件及其制备方法、显示面板。

背景技术

量子点(quantum dot,QD)是一些肉眼无法看到的、极其微小的半导体纳米晶晶体，是一种粒径不足10纳米的颗粒。量子点具有量子限域效应，受激发后可以发射荧光。而且量子点具有独特的发光特性，例如激发峰宽、发射峰窄、发光光谱可调、具有较大的斯托克斯位移、荧光寿命长等性质，使得其在光电发光领域具有广阔的应用前景。量子点发光二极管(quantum dot light emitting diode，QLED)就是以量子点作为发光层的电致发光器件，在不同的导电材料之间引入量子点发光层从而得到所需要波长的光。经过二十多年来的发展，由于具有亮度高、响应速度快、发光光谱半峰宽极窄、色域面积大、电致发光效率极高、可溶液制程降低损耗等优点，量子点发光二极管已成为下一代极具潜力的显示技术。

然而现有QLED器件制作流程中，彩色量子点必须隔离在像素凹槽中再进行填充，制作流程复杂，成本较高而效率较低，再加上电极多采用磁控溅射、化学沉积、蒸镀等真空制程制备，对环境的要求性高，制备仪器价格昂贵，更抬高了QLED显示器件的整体成本，并且采用蒸镀电极的方式使得QLED器件只能单面透光或者透光性差等，以及单面显示或者单色的QLED器件，都限制了QLED显示的多功能发展。

发明内容

本发明提供量子点发光二极管器件及其制备方法、显示面板，采用全溶液态制程制备量子点发光二极管器件，以实现采用溶液态制程制备出双面全彩的量子点发光二极管器件，简化制备流程，降低制备成本。

第一方面，本发明实施例提供了一种量子点发光二极管器件，该量子点发光二极管器件包括：基板，所述基板上依次层叠的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层、与所述基板对组压合的形成于第一盖板上的第一彩色膜层，以及与所述阴极层对组压合的形成于第二盖板上的第二彩色膜层；

其中，所述第一盖板和所述第二盖板包括间隔设置的多个彩色膜区域，且相邻两个所述彩色膜区域的亲疏水性不同，所述第一彩色膜层和所述第二彩色膜层为制备在所述彩色膜区域上的红色像素层与绿色像素层的组合，所述发光层的制备材料为蓝光量子点发光材料。

第二方面，本发明实施例还提供了一种量子点发光二极管器件的制备方法，该方法包括以下步骤：

在基板上依次层叠阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层；

在第一盖板和第二盖板上分别制备间隔的多个彩色膜区域，且相邻两个所述彩色膜区域的亲疏水性不同，在所述彩色膜区域内分别形成红色像素层和绿色像素层，在所述第一盖板和所述第二盖板上分别形成第一彩色膜层和第二彩色膜层；

将形成于所述第一盖板上的所述第一彩色膜层与所述基板对组压合，将形成于所述第二盖板上的所述第二彩色膜层与所述阴极层对组压合，共同形成所述量子点发光二极管器件。

第三方面，本发明实施例还提供了另一种量子点发光二极管器件，该QLDE器件包括：蓝光量子点发光二极管，与所述蓝光量子点发光二极管的基板对组压合的形成于第一盖板上的第一彩色膜层，以及与所述蓝光量子点发光二极管的阴极层对组压合的形成于第二盖板上的第二彩色膜层；