[发明专利]一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法及装置

权利要求书

1.一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

获取待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的第一电压和第一电流，所述第一电压为所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极之间的电压，所述第一电流为所述待测压接型IGBT器件的集电极电流；

根据所述第一电压和所述第一电流，计算所述待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的失效电阻；

在所述待测IGBT器件发生所述短路失效后的预设时间内获取所述失效电阻的变化率；

根据所述失效电阻的变化率确定所述待测压接型IGBT器件的短路失效特性。

2.根据权利要求1所述的短路失效测试方法，其特征在于，所述获取待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的第一电压和第一电流的步骤之前还包括，

在预设测试环境中通过高压电容使得所述待测压接型IGBT器件的所述第一电压与所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极所在闭合回路中的直流母线电压相等；

在所述预设测试环境中通过驱动器件控制所述待测压接型IGBT器件的第二电压使得所述待测压接型IGBT器件击穿达到所述短路失效状态，所述第二电压为所述待测压接型IGBT器件的栅极与发射极之间的开通电压。

3.根据权利要求2所述的短路失效测试方法，其特征在于，所述预设测试环境为特定温度下的密闭防爆空间。

4.根据权利要求3所述的短路失效测试方法，其特征在于，所述获取待测压接型IGBT器件的第一电压与第一电流通过直流电流源为所述待测压接型IGBT器件的发射极与集电极的所在闭合回路提供额定工作电流。

5.根据权利要求2所述的短路失效测试方法，其特征在于，其特征在于，所述高压电容通过预先计算其电参数使其满足所述短路失效的工作条件。

6.一种压接型IGBT器件的短路失效测试装置，其特征在于，包括：

第一获取模块，用于获取待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的第一电压和第一电流，所述第一电压为所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极之间的电压，所述第一电流为所述待测压接型IGBT器件的集电极电流；

计算模块，用于根据所述第一电压和所述第一电流，计算所述待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的失效电阻；

第二获取模块，用于在所述待测IGBT器件发生所述短路失效后的预设时间内获取所述失效电阻的变化率；

确定模块，用于根据所述失效电阻的变化率确定所述待测压接型IGBT器件的短路失效特性。

7.根据权利要求6所述的短路失效测试装置，其特征在于，还包括，

失效处理模块，用于在预设测试环境中通过高压电容使得所述待测压接型IGBT器件的所述第一电压与所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极所在闭合回路中的直流母线电压相等；

驱动控制模块，用于在所述预设测试环境中通过驱动器件控制所述待测压接型IGBT器件的第二电压使得所述待测压接型IGBT器件击穿达到所述短路失效状态，所述第二电压为所述待测压接型IGBT器件的栅极与发射极之间的开通电压。

8.根据权利要求7所述的短路失效测试装置，其特征在于，所述预设测试环境为特定温度下的密闭防爆空间。

9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，该指令被处理器执行时实现权利要求1-5任一项所述的短路失效测试方法的步骤。

10.一种压接型IGBT器件的短路失效测试设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现权利要求1-5任一项所述的短路失效测试方法的步骤。