[发明专利]一种纳米棒阵列复合材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种Co₉S₈/MoS₂/Ni₃S₂/NF纳米棒阵列复合材料，其特征在于，以泡沫镍为基底，所述泡沫镍部分硫化形成Ni₃S₂纳米棒，排列生长于泡沫镍基底上；所述Co₉S₈及MoS₂分别以超薄纳米片的形式生长在所述Ni₃S₂纳米棒上。

2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于所述泡沫镍具有孔径为200-500μm的三维多孔结构。

3.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述纳米棒的直径为300-600nm；长度为1.0-2.0μm。

4.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述超薄纳米片的厚度为2-4nm。

5.一种如权利要求1-4中任一项所述的Co₉S₈/MoS₂/Ni₃S₂/NF纳米棒阵列复合材料的制备方法，包括以下步骤：

(1)：将泡沫镍进行预处理，以去除泡沫镍表面的氧化物；

(2)：获得含有钴源、钼源、硫源及水合肼的反应物水溶液；

(3)：将泡沫镍置于所述反应物水溶液中，进行水热反应；水热反应温度为180-220℃，水热反应时间为18-26小时；

(4)：反应结束后，洗涤，干燥，得到Co₉S₈/MoS₂/Ni₃S₂/NF纳米棒阵列复合材料。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，水热反应温度为200℃。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，水热反应时间为24小时。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(1)中的预处理包括：

将泡沫镍在0.8-1.5M HCl溶液中浸泡10-30分钟。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述HCl溶液为1M HCl溶液。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，将泡沫镍在HCl溶液中浸泡20分钟。

11.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述钴源、钼源和硫源中的钴元素、钼元素、硫元素的摩尔比为1:(0.8-1.2):(2-4)。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述钴源、钼源和硫源中的钴元素、钼元素、硫元素的摩尔比为1:1:3。

13.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述钴源选自硫酸钴、硝酸钴、氯化钴中的一种或其组合；所述钼源选自钼酸钠、钼酸铵中的一种或其组合；所述硫源选自硫脲、硫代乙酰胺中的一种或其组合。

14.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述钴源中的钴元素的摩尔数与水合肼的质量比为3：(5-20)mmol/g。

15.权利要求1-4中任一项所述的Co₉S₈/MoS₂/Ni₃S₂/NF纳米棒阵列复合材料在电催化全解水中的应用。