[发明专利]一种有机发光显示装置和电子设备在审
申请号: | 201810574021.2 | 申请日: | 2018-06-06 |
公开(公告)号: | CN110571236A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 未治奎;高翔 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201506 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光显示装置 陷光 膜层 有机发光器件 薄膜封装层 透光区域 陷光层 第一基板 折射率 电子设备 投影覆盖 依次层叠 关态 | ||
1.一种有机发光显示装置,其特征在于,包括:
第一基板、形成在所述第一基板上的多个有机发光器件、形成在所述有机发光器件上的薄膜封装层、以及位于所述薄膜封装层上的纳米陷光层,所述纳米陷光层包括纳米陷光区域和多个透光区域,所述多个透光区域与所述多个有机发光器件分别对应设置且在所述有机发光显示装置的出光方向上所述透光区域的投影覆盖对应的所述有机发光器件,所述纳米陷光层包括依次层叠设置的第1陷光膜层~第m陷光膜层,m大于或等于2,所述第1陷光膜层位于所述薄膜封装层上,第i陷光膜层的折射率大于第j陷光膜层的折射率,1≤i≤m,1≤j≤m,i<j。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,在所述有机发光显示装置的出光方向上,所述透光区域的投影与对应的所述有机发光器件重叠。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,第k陷光膜层的折射率大于或等于1且小于或等于3.5,k=1,2,…,m。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述纳米陷光层的厚度大于或等于100nm。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述纳米陷光层在400nm~700nm的波段范围内的反射率小于或等于1%。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述纳米陷光区域具有呈阵列排布的多个锥形陷光结构。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述锥形陷光结构的形状为圆锥形、半球形、三角锥形或锥台形。
8.根据权利要求1-7任一项所述的有机发光显示装置,其特征在于,还包括:位于所述薄膜封装层和所述纳米陷光层之间的触控结构。
9.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的有机发光显示装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的