[发明专利]一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法

权利要求书

1.一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法，其特征在于包含如下步骤：

1）制作掩模版：所述掩模版的每层光刻图形包含纯芯片层和PCM层两种版图，两种版图尺寸相同；

2）设定曝光位置：按照PCM测试位置的要求，在需进行PCM测试的位置设定曝光PCM层，其他区域设置曝光对应的纯芯片层；

3）设定曝光参数：分别设置PCM层和纯芯片层曝光参数；

4）PCM测试。

2.根据权利要求1所述的提升衬底有效芯片数目的曝光方法，其特征在于所述曝光方法采用stepper光刻机芯片制造工艺。

3.根据权利要求1所述的提升衬底有效芯片数目的曝光方法，其特征在于所述步骤1）制作掩模版中，纯芯片层版图的排版完全由芯片图形构成。

4.根据权利要求1所述的提升衬底有效芯片数目的曝光方法，其特征在于所述步骤1）制作掩模版中，PCM层版图的排版由纯PCM图形或PCM图形与芯片图形混合的方式构成，版图尺寸与纯芯片层版图尺寸相同。

5.根据权利要求1所述的提升衬底有效芯片数目的曝光方法，其特征在于所述步骤2）设定曝光位置中，PCM层在圆片上的位置均匀排布，以实现PCM抽样监控对整个圆片性能参数的代表性。

6.根据权利要求1所述的提升衬底有效芯片数目的曝光方法，其特征在于所述步骤2）设定曝光位置中，PCM层和纯芯片层位置不重叠，两者共同布满整个圆片。

7.根据权利要求1所述的提升衬底有效芯片数目的曝光方法，其特征在于所述步骤3）设定曝光参数中，进行圆片曝光工艺时，对PCM层和纯芯片层设置相同的曝光参数，以实现PCM监控对芯片性能参数的代表性。

8.根据权利要求1所述的提升衬底有效芯片数目的曝光方法，其特征在于所述步骤4）PCM测试中，进行过程中或者最终PCM测试时，测试位置的选择与2）设定曝光位置中设定的位置一致。

9.根据权利要求1所述的提升衬底有效芯片数目的曝光方法，其特征在于所述衬底为圆片衬底。