[发明专利]存储器中数据读取的错误纠正方法、装置、设备及介质有效
申请号: | 201810576516.9 | 申请日: | 2018-06-06 |
公开(公告)号: | CN108897637B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 邵翠萍;李慧云;方嘉言 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10 |
代理公司: | 深圳智趣知识产权代理事务所(普通合伙) 44486 | 代理人: | 邵萌 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 目标数据 矩阵 对角线元素 内积 存储器 出错位置 错误数据 数据读取 纠正 计算机技术领域 读取 读取存储器 关联 错误纠正 错误偏差 读取目标 计算目标 误差偏差 硬件开销 准确度 复杂度 | ||
本发明适用计算机技术领域,提供了一种存储器中数据读取错误的纠正方法、装置、设备及介质,该方法包括:从存储器中读取目标数据和目标数据关联的对角线元素,计算目标数据的内积矩阵、类内积矩阵,根据目标数据关联的对角线元素和目标数据内积矩阵、类内积矩阵的第一对角线元素、第二对角线元素,判断读取的目标数据是否发生错误,当确定发生错误时,确定目标数据中的出错位置,并计算出错位置对应的错误偏差量,根据该误差偏差量对目标数据中出错位置处的错误数据进行纠正,从而降低了读取存储器中数据时错误数据定位、纠正的复杂度,降低了硬件开销,提高了错误数据定位、纠正的准确度和效率。
技术领域
本发明属于计算机技术领域,尤其涉及一种存储器中数据读取错误的纠正方法、装置、设备及介质。
背景技术
摩尔定律推动下的集成电路工艺不仅增加了存储器的集成密度,还使得存储器的工作电压和节点电容降低,大幅度减小了节点翻转所需的临界电荷。地面环境中的α粒子、中子或者辐射环境中的重离子、质子,它们撞击存储器表面后会以直接或间接电离的方式产生大量的电子空穴对,一旦被收集的电子空穴对超过节点的临界电荷,造成节点内容的翻转,容易引起存储器SEU或MBU。针对存储器的SEU问题,除了从物理上防御和基于电路的加固外,三模冗余(TMR)和检错纠错码(ECC)技术是最常用的两种方法。
三模冗余方法可以纠正每位错误,甚至一个数据全错,也能得到正确的结果,而且速度快,只是增加的硬件较多。检错纠错码(ECC)技术包括多种编码技术,不同的编码技术有不同的检错和纠错能力。例如,奇偶校验码只能检测出一个码字中的一位或奇数位错,但是不能定位错误,因而也不能纠正错误;汉明码可以纠正一个码字中任何一位错误,检测出两位错误。还有许多高阶的ECC编码算法,例如BCH码,RS码等,可以检测和纠正一个码字中的多位错误,但是算法复杂,面积和延迟开销也更大,并且当发生类似MBU这种连续多位错误的时候,高阶编码技术也不能保证准确定位错误位置。
发明内容
本发明的目的在于提供一种存储器中数据读取错误的纠正方法、装置、设备及介质,旨在解决现有技术中用于存储器中错误数据定位、纠正的算法操作复杂、硬件开销较大,导致存储器中错误数据定位、纠正的效率和准确度不高的问题。
一方面,本发明提供了一种存储器中数据读取错误的纠正方法,所述方法包括下述步骤:
当接收到数据读取指令时,从存储器中读取目标数据和所述目标数据关联的对角线元素,所述目标数据关联的对角线元素包括所述目标数据所对应原始数据内积矩阵和类内积矩阵的第一对角线元素、第二对角线元素;
计算所述目标数据的内积矩阵、类内积矩阵,根据所述目标数据关联的对角线元素和所述目标数据内积矩阵、类内积矩阵的第一对角线元素、第二对角线元素,判断读取的所述目标数据是否发生错误;
当确定读取的所述目标数据发生错误时,根据所述目标数据关联的对角线元素和所述目标数据内积矩阵、类内积矩阵的第一对角线元素,确定所述目标数据中的出错位置;
根据所述目标数据关联的对角线元素和所述目标数据内积矩阵、类内积矩阵的第二对角线元素,计算所述出错位置对应的错误偏差量,根据所述错误偏差量对所述目标数据中所述出错位置处的错误数据进行纠正。
另一方面,本发明提供了一种存储器中数据读取错误的纠正装置,所述装置包括:
数据读取单元,用于当接收到数据读取指令时,从存储器中读取目标数据和所述目标数据关联的对角线元素,所述目标数据关联的对角线元素包括所述目标数据所对应原始数据内积矩阵和类内积矩阵的第一对角线元素、第二对角线元素;
错误判断单元,用于计算所述目标数据的内积矩阵、类内积矩阵,根据所述目标数据关联的对角线元素和所述目标数据内积矩阵、类内积矩阵的第一对角线元素、第二对角线元素,判断读取的所述目标数据是否发生错误;
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