[发明专利]一种发光元件及发光元件的高能离子辐射方法、抛光方法

说明书

本发明的发光元件的抛光方法利用高能离子对所述发光元件进行能量梯度递增的辐射，使所述发光元件的A相在所述发光元件的表面以下的预定深度范围内产生均一的损伤，直到所述A相的莫氏硬度与所述Y相的莫氏硬度大致相同，随后将辐射后的发光元件抛光到该深度得到平坦的表面。可以避免不同相之间由于硬度和研磨速率不同而造成微米级的凹凸起伏的表面，使得在其表面粘贴的反射层等更加牢固，不容易脱落。

技术领域

本发明属于发光材料技术领域，尤其涉及一种用于发光装置的发光元件及发光元件的高能离子辐射方法、抛光方法。

背景技术

目前存在一种荧光粉同玻璃粉或陶瓷粉体混合烧结而获得的发光元件，如发光陶瓷/发光玻璃。该发光陶瓷/发光玻璃通过在背向激发光的一侧粘接一层反射层以及导热支撑装置形成发光装置，用于将激发光转换成预定波长的受激光。由于荧光粉烧结形成的相与玻璃粉或陶瓷粉烧结形成的相的莫氏硬度不同，导致研磨速率不同，所以抛光发光元件时形成凹凸表面，凹凸表面的起伏在微米级，在此凹凸表面覆盖反射层，导致反射层容易脱落。

因此，针对上述不足，实有必要提供一种新的用于激光光源的发光元件的高能离子辐射方法和抛光方法，以解决现有抛光方法成本高且性能不足的问题。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种发光元件及发光元件的高能离子辐射方法和抛光方法，以解决现有技术抛光时形成微米级起伏的凹凸表面，在此凹凸表面覆盖反射层，导致反射层结合不牢固容易脱落的问题。

具体方式为，提供一种发光元件，由包括A相原料和Y相原料的至少两种原料烧结而成，形成包括A相和Y相至少两个相的复相结构，所述A相的莫氏硬度大于所述Y相的莫氏硬度，所述A相的DPA值大于所述Y相的DPA值，在受到离子辐射造成损伤后A相的莫氏硬度降低到与Y相大致相同。

优选的，所述发光元件为Y₃Al₅O₁₂:Ce³⁺荧光粉和Al₂O₃颗粒经烧结而成的片状波长转换层，所述A相为Al₂O₃相，所述Y相为Y₃Al₅O₁₂:Ce³⁺相。

优选的，所述波长转换层的厚度为350μm-450μm。

为解决上述问题，本发明还提供一种发光元件的高能离子辐射方法，其中，所述发光元件采用如上所述的具有复相结构的发光元件，利用高能离子对所述发光元件进行能量梯度递增的辐射，使所述发光元件的A相在所述发光元件的表面以下的预定深度范围内产生均一的损伤，直到所述A相的莫氏硬度与所述Y相的莫氏硬度大致相同。

优选的，所述高能离子为能量70MeV-80MeV的C离子或N离子。

优选的，所述A相的莫氏硬度与所述Y相的莫氏硬度的差值不超过0.5。

优选的，所述C离子辐射的剂量为1×10¹⁵ions/cm²，辐射速率为1×10¹³ions/cm²·s，辐射能量为70MeV。

优选的，经过第一次辐射后，每一次辐射的辐射能量以1MeV为公差递增。

为解决上述问题，本发明还提供一种发光元件的抛光方法，其包括如上所述的高能离子辐射方法，包括如下步骤：

步骤S1：提供具有复相结构的发光元件，将发光元件粘到离子注入机的样品台上，抛光面曝露；

步骤S2：对所述发光元件的抛光面进行高能离子辐射，每一个能量辐射完成后不取出样品，修改辐射参数进行下一次辐射，反复多次直到在预定深度范围内产生均一的损伤；